BCV62CE6327HTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.9 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCV62CE6327HTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BCV62CE6327HTSA1 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 30 V, 100 mA, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: -, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Verlustleistung, PNP: 300mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA, Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-143, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach pnp, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BCV62CE6327HTSA1 за ціною від 6.35 грн до 32.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BCV62CE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: TRANS 2PNP 30V 0.1A SOT143Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT-143-3D Part Status: Last Time Buy |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BCV62CE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 4-Pin SOT-143 T/R |
на замовлення 466 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BCV62CE6327HTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BCV62CE6327HTSA1 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 30 V, 100 mA tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung, PNP: 300mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-143 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach pnp Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 5775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BCV62CE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 4-Pin SOT-143 T/R |
на замовлення 5605 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BCV62CE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 4-Pin SOT-143 T/R |
на замовлення 5605 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BCV62CE6327HTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BCV62CE6327HTSA1 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 30 V, 100 mA tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung, PNP: 300mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-143 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach pnp Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 5775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BCV62CE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRANS 2PNP 30V 0.1A SOT143 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT-143-3D Part Status: Last Time Buy |
на замовлення 7860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BCV62CE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - BJT PNP 30 V 100 mA |
на замовлення 985 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BCV62CE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 4-Pin SOT-143 T/R |
на замовлення 466 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
BCV62CE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 4-Pin SOT-143 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BCV62CE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 4-Pin SOT-143 T/R |
товар відсутній |