APT1201R6SVFRG Microchip / Microsemi
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT1201R6SVFRG Microchip / Microsemi
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 32A, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: POWER MOS 5®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 8A, Pulsed drain current: 32A, Power dissipation: 280W, Case: D3PAK, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 1.6Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 230nC, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APT1201R6SVFRG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
APT1201R6SVFRG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 32A Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 5® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 8A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 280W Case: D3PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 230nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
| APT1201R6SVFRG | Виробник : MICROSEMI |
D3PAK/POWER FREDFET - MOS5 APT1201R6 кількість в упаковці: 31 шт |
товар відсутній |
||
|
|
APT1201R6SVFRG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 32A Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 5® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 8A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 280W Case: D3PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 230nC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |