APT10M11JVRU2

APT10M11JVRU2 Microchip Technology


APT10M11JVRU2.pdf Виробник: Microchip Technology
Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-5-SOT227
на замовлення 62 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2474.23 грн
100+ 2114.28 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APT10M11JVRU2 Microchip Technology

Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; diode/transistor; 100V; 106A; ISOTOP; screw; Idm: 576A; 450W, Type of module: MOSFET transistor, Semiconductor structure: diode/transistor, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 106A, Case: ISOTOP, Topology: boost chopper, Electrical mounting: screw, Polarisation: unipolar, On-state resistance: 11mΩ, Pulsed drain current: 576A, Power dissipation: 450W, Technology: POWER MOS 5®, Gate-source voltage: ±30V, Mechanical mounting: screw, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції APT10M11JVRU2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
APT10M11JVRU2 APT10M11JVRU2 Виробник : Microchip Technology 6593-apt10m11jvru2-rev1-pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 142A 4-Pin SOT-227 Tube
товар відсутній
APT10M11JVRU2 Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) APT10M11JVRU2.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; diode/transistor; 100V; 106A; ISOTOP; screw; Idm: 576A; 450W
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: diode/transistor
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 106A
Case: ISOTOP
Topology: boost chopper
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 11mΩ
Pulsed drain current: 576A
Power dissipation: 450W
Technology: POWER MOS 5®
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT10M11JVRU2 APT10M11JVRU2 Виробник : Microsemi Corporation APT10M11JVRU2.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227
товар відсутній
APT10M11JVRU2 Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) APT10M11JVRU2.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; diode/transistor; 100V; 106A; ISOTOP; screw; Idm: 576A; 450W
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: diode/transistor
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 106A
Case: ISOTOP
Topology: boost chopper
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 11mΩ
Pulsed drain current: 576A
Power dissipation: 450W
Technology: POWER MOS 5®
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
товар відсутній