Продукція > MICROSEMI > APT10M07JVFR

APT10M07JVFR Microsemi


Виробник: Microsemi
Discrete Semiconductor Modules Power FREDFET - MOS5
на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APT10M07JVFR Microsemi

Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; single transistor; 100V; 225A; ISOTOP; screw; Idm: 900A, Type of module: MOSFET transistor, Semiconductor structure: single transistor, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 225A, Case: ISOTOP, Electrical mounting: screw, Polarisation: unipolar, On-state resistance: 7mΩ, Pulsed drain current: 900A, Power dissipation: 700W, Technology: POWER MOS 5®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, Mechanical mounting: screw, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції APT10M07JVFR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
APT10M07JVFR APT10M07JVFR Виробник : Microchip Technology 17517568350181526589-apt10m07jvfr-datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 225A 4-Pin SOT-227 Tube
товар відсутній
APT10M07JVFR Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 225A; ISOTOP; screw; Idm: 900A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 225A
Case: ISOTOP
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 7mΩ
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 700W
Technology: POWER MOS 5®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT10M07JVFR Виробник : MICROSEMI ISOTOP/POWER FREDFET - MOS5 APT10M07
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
APT10M07JVFR Виробник : Microchip Technology APT10M07JVFR_A-1859498.pdf Discrete Semiconductor Modules FREDFET MOS5 100 V 7 mOhm SOT-227
товар відсутній
APT10M07JVFR Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 225A; ISOTOP; screw; Idm: 900A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 225A
Case: ISOTOP
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 7mΩ
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 700W
Technology: POWER MOS 5®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
товар відсутній