APT100GN120J

APT100GN120J Microchip Technology


Виробник: Microchip Technology
IGBT Modules IGBT Fieldstop Low Frequency Single 1200 V 100 A SOT-227
на замовлення 7 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2808.37 грн
100+ 2389.68 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APT100GN120J Microchip Technology

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 70A; SOT227B, Type of module: IGBT, Application: for inductive load; for UPS; motors; SMPS, Max. off-state voltage: 1.2kV, Case: SOT227B, Electrical mounting: screw, Collector current: 70A, Technology: Field Stop; Trench, Mechanical mounting: screw, Pulsed collector current: 300A, Gate-emitter voltage: ±30V, Semiconductor structure: single transistor, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції APT100GN120J

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
APT100GN120J APT100GN120J Виробник : Microchip / Microsemi IGBT Modules FG, IGBT, 1200V, 100A, SOT-227
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
APT100GN120J Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 70A; SOT227B
Type of module: IGBT
Application: for inductive load; for UPS; motors; SMPS
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Collector current: 70A
Technology: Field Stop; Trench
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 300A
Gate-emitter voltage: ±30V
Semiconductor structure: single transistor
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT100GN120J Виробник : MICROSEMI APT100GN120J APT100
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT100GN120J Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 70A; SOT227B
Type of module: IGBT
Application: for inductive load; for UPS; motors; SMPS
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Collector current: 70A
Technology: Field Stop; Trench
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 300A
Gate-emitter voltage: ±30V
Semiconductor structure: single transistor
товар відсутній