APT10050JVFR

APT10050JVFR Microchip Technology


10050jvfr.pdf Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 1KV 19A 4-Pin SOT-227 Tube
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APT10050JVFR Microchip Technology

Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; single transistor; 1kV; 19A; ISOTOP; screw; Idm: 76A; 450W, Type of module: MOSFET transistor, Semiconductor structure: single transistor, Case: ISOTOP, Electrical mounting: screw, Mechanical mounting: screw, Technology: POWER MOS 5®, Power dissipation: 450W, Polarisation: unipolar, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 76A, Drain-source voltage: 1kV, Drain current: 19A, On-state resistance: 0.5Ω, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції APT10050JVFR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
APT10050JVFR Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 19A; ISOTOP; screw; Idm: 76A; 450W
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Case: ISOTOP
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: POWER MOS 5®
Power dissipation: 450W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 76A
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 19A
On-state resistance: 0.5Ω
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT10050JVFR APT10050JVFR Виробник : Microchip Technology 10050jvfr.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 19A 4-Pin SOT-227 Tube
товар відсутній
APT10050JVFR Виробник : Microchip / Microsemi MOSFET FG, FREDFET, 1000V, 0.50_OHM, SOT-227
товар відсутній
APT10050JVFR Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 19A; ISOTOP; screw; Idm: 76A; 450W
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Case: ISOTOP
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: POWER MOS 5®
Power dissipation: 450W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 76A
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 19A
On-state resistance: 0.5Ω
товар відсутній