APT10045LLLG MICROCHIP (MICROSEMI)
Виробник: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 23A; Idm: 92A; 565W; TO264
Case: TO264
Mounting: THT
Technology: POWER MOS 7®
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 565W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 154nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 92A
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 23A
On-state resistance: 0.45Ω
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 23A; Idm: 92A; 565W; TO264
Case: TO264
Mounting: THT
Technology: POWER MOS 7®
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 565W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 154nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 92A
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 23A
On-state resistance: 0.45Ω
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT10045LLLG MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 23A; Idm: 92A; 565W; TO264, Case: TO264, Mounting: THT, Technology: POWER MOS 7®, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 565W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 154nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 92A, Drain-source voltage: 1kV, Drain current: 23A, On-state resistance: 0.45Ω, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APT10045LLLG
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
APT10045LLLG | Виробник : Microchip / Microsemi | Discrete Semiconductor Modules FG, MOSFET,1000V, TO-264, RoHS |
товар відсутній |
||
APT10045LLLG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 23A; Idm: 92A; 565W; TO264 Case: TO264 Mounting: THT Technology: POWER MOS 7® Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 565W Polarisation: unipolar Gate charge: 154nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 92A Drain-source voltage: 1kV Drain current: 23A On-state resistance: 0.45Ω |
товар відсутній |