AIDK08S65C5ATMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - AIDK08S65C5ATMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC Gen V, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, TO-263
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263
Kapazitive Gesamtladung: 13nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC Gen V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 295.74 грн |
| 10+ | 263.22 грн |
| 100+ | 222.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AIDK08S65C5ATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - AIDK08S65C5ATMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC Gen V, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, TO-263, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-263, Kapazitive Gesamtladung: 13nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: CoolSiC Gen V, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції AIDK08S65C5ATMA1 за ціною від 212.56 грн до 447.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AIDK08S65C5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DISCRETE DIODES Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 248pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: PG-TO263-2 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V |
на замовлення 197 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| AIDK08S65C5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Schottky Diodes & Rectifiers SIC_DISCRETE |
на замовлення 898 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| AIDK08S65C5ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
AIDK08S65C5ATMA1 SMD Schottky diodes |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
AIDK08S65C5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DISCRETE DIODES Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 248pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: PG-TO263-2 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V |
товар відсутній |