Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13308) > Сторінка 219 з 222

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 214 215 216 217 218 219 220 221 222  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
CRS10I30B(TE85L,QM CRS10I30B(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS10I30B_datasheet_en_20181115.pdf?did=2128&prodName=CRS10I30B Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A S-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 420 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 30 V
на замовлення 2730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.64 грн
16+ 19 грн
100+ 9.6 грн
500+ 7.98 грн
1000+ 6.21 грн
Мінімальне замовлення: 12
CRS10I40B(TE85L,QM CRS10I40B(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS10I40B_datasheet_en_20201014.pdf?did=14633&prodName=CRS10I40B Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A S-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 62pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
товару немає в наявності
CRS10I40B(TE85L,QM CRS10I40B(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS10I40B_datasheet_en_20201014.pdf?did=14633&prodName=CRS10I40B Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A S-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 62pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
на замовлення 5745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.48 грн
13+ 23.73 грн
100+ 14.23 грн
500+ 12.36 грн
1000+ 8.41 грн
Мінімальне замовлення: 10
CRG05(TE85L,Q,M) CRG05(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage Description: DIODE GEN PURP 800V 1A S-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товару немає в наявності
CRG05(TE85L,Q,M) CRG05(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage Description: DIODE GEN PURP 800V 1A S-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.48 грн
14+ 21.37 грн
100+ 10.77 грн
500+ 8.96 грн
1000+ 6.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
CRS10I40A(TE85L,QM CRS10I40A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS10I40A_datasheet_en_20220526.pdf?did=14631&prodName=CRS10I40A Description: DIODE GEN PURP 40V 1A S-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 700 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 40 V
товару немає в наявності
CRS10I40A(TE85L,QM CRS10I40A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS10I40A_datasheet_en_20220526.pdf?did=14631&prodName=CRS10I40A Description: DIODE GEN PURP 40V 1A S-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 700 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 40 V
на замовлення 2799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.48 грн
13+ 23.73 грн
100+ 14.23 грн
500+ 12.36 грн
1000+ 8.41 грн
Мінімальне замовлення: 10
CRF02(TE85L,Q,M) CRF02(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage Description: DIODE GEN PURP 800V 500MA S-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 800 V
товару немає в наявності
CRF02(TE85L,Q,M) CRF02(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage Description: DIODE GEN PURP 800V 500MA S-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 800 V
на замовлення 2698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.24 грн
13+ 24.03 грн
100+ 14.41 грн
500+ 12.52 грн
1000+ 8.51 грн
Мінімальне замовлення: 10
CRZ30(TE85L,Q,M) CRZ30(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68 Description: DIODE ZENER 30V 700MW SFLAT
Tolerance: ±10%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 30 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 21 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CRZ30(TE85L,Q,M) CRZ30(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68 Description: DIODE ZENER 30V 700MW SFLAT
Tolerance: ±10%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 30 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 21 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.78 грн
11+ 27.58 грн
100+ 19.15 грн
500+ 14.03 грн
1000+ 11.4 грн
Мінімальне замовлення: 10
CRZ10(TE85L,Q,M) CRZ10(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68 Description: DIODE ZENER 10V 700MW SFLAT
Tolerance: ±10%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 10 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 6 V
товару немає в наявності
CRZ10(TE85L,Q,M) CRZ10(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68 Description: DIODE ZENER 10V 700MW SFLAT
Tolerance: ±10%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 10 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 6 V
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.78 грн
11+ 27.58 грн
100+ 19.15 грн
500+ 14.03 грн
1000+ 11.4 грн
Мінімальне замовлення: 10
CRZ13(TE85L,Q,M) CRZ13(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68 Description: DIODE ZENER 13V 700MW SFLAT
Tolerance: ±10%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 13 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 9 V
товару немає в наявності
CRZ13(TE85L,Q,M) CRZ13(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68 Description: DIODE ZENER 13V 700MW SFLAT
Tolerance: ±10%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 13 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 9 V
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.78 грн
11+ 27.58 грн
100+ 19.15 грн
500+ 14.03 грн
1000+ 11.4 грн
Мінімальне замовлення: 10
CRZ27(TE85L,Q,M) CRZ27(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68 Description: DIODE ZENER 27V 700MW SFLAT
Tolerance: ±10%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 27 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 19 V
товару немає в наявності
CRZ27(TE85L,Q,M) CRZ27(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68 Description: DIODE ZENER 27V 700MW SFLAT
Tolerance: ±10%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 27 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 19 V
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.78 грн
11+ 27.58 грн
100+ 19.15 грн
500+ 14.03 грн
1000+ 11.4 грн
Мінімальне замовлення: 10
CRZ20(TE85L,Q,M) CRZ20(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68 Description: DIODE ZENER 20V 700MW SFLAT
Tolerance: ±10%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 20 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 14 V
товару немає в наявності
CRZ20(TE85L,Q,M) CRZ20(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68 Description: DIODE ZENER 20V 700MW SFLAT
Tolerance: ±10%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 20 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 14 V
на замовлення 2830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.78 грн
11+ 27.58 грн
100+ 19.15 грн
500+ 14.03 грн
1000+ 11.4 грн
Мінімальне замовлення: 10
CRY68(TE85L,Q,M) CRY68(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68 Description: DIODE ZENER 6.8V 700MW SFLAT
Tolerance: ±10%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.8 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3 V
товару немає в наявності
CRY68(TE85L,Q,M) CRY68(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68 Description: DIODE ZENER 6.8V 700MW SFLAT
Tolerance: ±10%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.8 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3 V
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.78 грн
11+ 27.58 грн
100+ 19.15 грн
500+ 14.03 грн
1000+ 11.4 грн
Мінімальне замовлення: 10
CRY62(TE85L,Q,M) CRY62(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68 Description: DIODE ZENER 6.2V 700MW SFLAT
Tolerance: ±9.68%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3 V
товару немає в наявності
CRY62(TE85L,Q,M) CRY62(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68 Description: DIODE ZENER 6.2V 700MW SFLAT
Tolerance: ±9.68%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.78 грн
11+ 27.58 грн
100+ 19.15 грн
500+ 14.03 грн
1000+ 11.4 грн
Мінімальне замовлення: 10
CRZ36(TE85L,Q,M) CRZ36(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68 Description: DIODE ZENER 36V 700MW SFLAT
Tolerance: ±10%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 28.8 V
товару немає в наявності
CRZ36(TE85L,Q,M) CRZ36(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68 Description: DIODE ZENER 36V 700MW SFLAT
Tolerance: ±10%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 28.8 V
на замовлення 1374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.78 грн
11+ 27.58 грн
100+ 19.15 грн
500+ 14.03 грн
1000+ 11.4 грн
Мінімальне замовлення: 10
DF2S6M5CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6M5CT_datasheet_en_20210317.pdf?did=70611&prodName=DF2S6M5CT Description: TVS DIODE 19VWM CST2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.6pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: CST2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 37W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
CMS08(TE12L,Q,M) CMS08(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS08_datasheet_en_20190307.pdf?did=3142&prodName=CMS08 Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A M-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 370 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 mA @ 30 V
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.85 грн
11+ 27.06 грн
100+ 16.23 грн
500+ 14.11 грн
1000+ 9.59 грн
Мінімальне замовлення: 9
SSM6N48FU,LF SSM6N48FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N48FU_datasheet_en_20140301.pdf?did=2497&prodName=SSM6N48FU Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15.1pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: US6
товару немає в наявності
SSM6N48FU,LF SSM6N48FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N48FU_datasheet_en_20140301.pdf?did=2497&prodName=SSM6N48FU Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15.1pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: US6
на замовлення 2710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.1 грн
20+ 15.3 грн
100+ 9.63 грн
500+ 6.71 грн
1000+ 5.96 грн
Мінімальне замовлення: 12
TC74AC14FTEL TC74AC14FTEL Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC INVERT SCHMIT 6CH 6IN 14TSSOP
Features: Schmitt Trigger
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Number of Inputs: 6
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 2.2V ~ 3.9V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.1V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 9.7ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 4 µA
товару немає в наявності
RN1704,LF RN1704,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18817&prodName=RN1705 Description: NPNX2 BRT Q1BSR47KOHM Q1BER47KOH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: USV
товару немає в наявності
RN1704,LF RN1704,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18817&prodName=RN1705 Description: NPNX2 BRT Q1BSR47KOHM Q1BER47KOH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: USV
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+16.89 грн
30+ 9.98 грн
100+ 6.2 грн
Мінімальне замовлення: 19
TLP627M(D4-TP5,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP627M_datasheet_en_20181206.pdf?did=63799&prodName=TLP627M Description: DC INPUT PHOTOCOUPLER; DIP4; ; V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Darlington
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 150mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 1000% @ 1mA
Vce Saturation (Max): 1.2V
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Output (Max): 300V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 110µs, 30µs
Rise / Fall Time (Typ): 60µs, 30µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.93 грн
10+ 43.1 грн
100+ 29.25 грн
500+ 22.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
TLP627MF(TP4,E TLP627MF(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP627M_datasheet_en_20181206.pdf?did=63799&prodName=TLP627M Description: DC INPUT PHOTOCOUPLER; DIP4; WID
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Darlington
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 150mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 1000% @ 1mA
Vce Saturation (Max): 1.2V
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Output (Max): 300V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 110µs, 30µs
Rise / Fall Time (Typ): 60µs, 30µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.93 грн
10+ 43.1 грн
100+ 29.25 грн
500+ 22.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
RN2115MFV,L3F RN2115MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=742&prodName=RN2116MFV Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+1.89 грн
16000+ 1.66 грн
Мінімальне замовлення: 8000
RN2115MFV,L3F RN2115MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=742&prodName=RN2116MFV Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 23478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+8.44 грн
55+ 5.47 грн
100+ 3.69 грн
500+ 2.63 грн
1000+ 2.35 грн
2000+ 2.1 грн
Мінімальне замовлення: 37
RN4908,LXHF(CT RN4908,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4908_datasheet_en_20210824.pdf?did=18963&prodName=RN4908 Description: AUTO AEC-Q TR PNP + NPN BRT, Q1B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.81 грн
6000+ 4.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RN4908,LXHF(CT RN4908,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4908_datasheet_en_20210824.pdf?did=18963&prodName=RN4908 Description: AUTO AEC-Q TR PNP + NPN BRT, Q1B
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.43 грн
Мінімальне замовлення: 17
RN4908FE,LXHF(CT RN4908FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4908FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19031&prodName=RN4908FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.1 грн
8000+ 4.5 грн
Мінімальне замовлення: 4000
RN4908FE,LXHF(CT RN4908FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4908FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19031&prodName=RN4908FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+20.73 грн
Мінімальне замовлення: 15
74HC04D 74HC04D Toshiba Semiconductor and Storage 74HC04D_datasheet_en_20160804.pdf?did=37182&prodName=74HC04D Description: IC INVERTER 6CH 1-INP 14SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-SOIC
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 13ns @ 6V, 50pF
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.3 грн
5000+ 10.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500
74HC04D 74HC04D Toshiba Semiconductor and Storage 74HC04D_datasheet_en_20160804.pdf?did=37182&prodName=74HC04D Description: IC INVERTER 6CH 1-INP 14SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-SOIC
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 13ns @ 6V, 50pF
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 7159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.9 грн
10+ 29.87 грн
25+ 24.93 грн
100+ 18.09 грн
250+ 15.48 грн
500+ 13.88 грн
1000+ 12.34 грн
Мінімальне замовлення: 7
TLP185(TPR,SE TLP185(TPR,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185%28SE_datasheet_en_20191118.pdf?did=14111&prodName=TLP185(SE Description: X36 PB-F PHOTOCOUPLER SO6 ROHS T
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 6-SOP
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.22 грн
13+ 23.88 грн
100+ 15.41 грн
500+ 11.38 грн
1000+ 10.43 грн
Мінімальне замовлення: 8
HN4B102J(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN4B102J_datasheet_en_20131101.pdf?did=639&prodName=HN4B102J Description: PB-F POWER TRANSISTOR SMV MOQ=30
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 750mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1.8A, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 20mA, 600mA / 200mV @ 20mA, 600mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 200mA, 2V
Supplier Device Package: SMV
товару немає в наявності
HN4B102J(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN4B102J_datasheet_en_20131101.pdf?did=639&prodName=HN4B102J Description: PB-F POWER TRANSISTOR SMV MOQ=30
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 750mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1.8A, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 20mA, 600mA / 200mV @ 20mA, 600mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 200mA, 2V
Supplier Device Package: SMV
на замовлення 2502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.09 грн
10+ 41.4 грн
100+ 26.97 грн
500+ 19.49 грн
1000+ 17.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
TLP2719(D4-TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=61847&prodName=TLP2719 Description: OPTOCOUPLER SO6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Open Collector
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.6V
Data Rate: 1MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Common Mode Transient Immunity (Min): 10kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 800ns, 800ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 8 mA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.98 грн
10+ 79.18 грн
100+ 56.25 грн
500+ 44.3 грн
Мінімальне замовлення: 3
TCKE912NA,RF Toshiba Semiconductor and Storage datasheet_en_20240820.pdf?did=157593 Description: EFUSE IC WSON8, 4A/23V FAST PROT
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled, Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 34mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.7V ~ 23V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 4A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-WSON (2x2)
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit, UVLO
товару немає в наявності
TCKE912NA,RF Toshiba Semiconductor and Storage datasheet_en_20240820.pdf?did=157593 Description: EFUSE IC WSON8, 4A/23V FAST PROT
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled, Status Flag
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 34mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.7V ~ 23V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 4A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-WSON (2x2)
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit, UVLO
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.6 грн
10+ 75.78 грн
25+ 64.35 грн
100+ 48.25 грн
250+ 42.31 грн
500+ 38.68 грн
1000+ 35.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
TCKE920NL,RF Toshiba Semiconductor and Storage datasheet_en_20240820.pdf?did=157593 Description: EFUSE IC WSON8, 4A/23V FAST PROT
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled, Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 34mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.7V ~ 23V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 4A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-WSON (2x2)
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit, UVLO
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
TCKE920NL,RF Toshiba Semiconductor and Storage datasheet_en_20240820.pdf?did=157593 Description: EFUSE IC WSON8, 4A/23V FAST PROT
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled, Status Flag
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 34mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.7V ~ 23V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 4A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-WSON (2x2)
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit, UVLO
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.6 грн
10+ 75.78 грн
25+ 64.35 грн
100+ 48.25 грн
250+ 42.31 грн
500+ 38.68 грн
1000+ 35.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
TCKE912NL,RF Toshiba Semiconductor and Storage datasheet_en_20240820.pdf?did=157593 Description: EFUSE IC WSON8, 4A/23V FAST PROT
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled, Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 34mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.7V ~ 23V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 4A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-WSON (2x2)
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit, UVLO
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
TCKE912NL,RF Toshiba Semiconductor and Storage datasheet_en_20240820.pdf?did=157593 Description: EFUSE IC WSON8, 4A/23V FAST PROT
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled, Status Flag
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 34mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.7V ~ 23V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 4A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-WSON (2x2)
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit, UVLO
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.6 грн
10+ 75.78 грн
25+ 64.35 грн
100+ 48.25 грн
250+ 42.31 грн
500+ 38.68 грн
1000+ 35.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
TLP3412SRLA(TP,E(O TLP3412SRLA(TP,E(O Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=154721&prodName=TLP3412SRLA Description: PHOTORELAY; LOWER CR; ROHS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD (0.079", 2.00mm)
Output Type: MOSFET
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.2V
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 500Vrms
Supplier Device Package: S-VSON4T (2x1.45)
Turn On / Turn Off Time (Typ): 110µs, 30µs
Number of Channels: 1
товару немає в наявності
TLP3412SRLA(TP,E(O TLP3412SRLA(TP,E(O Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=154721&prodName=TLP3412SRLA Description: PHOTORELAY; LOWER CR; ROHS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD (0.079", 2.00mm)
Output Type: MOSFET
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.2V
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 500Vrms
Supplier Device Package: S-VSON4T (2x1.45)
Turn On / Turn Off Time (Typ): 110µs, 30µs
Number of Channels: 1
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+450.65 грн
10+ 305.25 грн
100+ 239.14 грн
500+ 199.93 грн
1000+ 192.39 грн
TK080N60Z1,S1F TK080N60Z1,S1F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=157126&prodName=TK080N60Z1 Description: 600V DTMOS6 TO-247 80MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.17mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2510 pF @ 300 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+324.75 грн
10+ 210.7 грн
30+ 179.6 грн
74LCX373FT 74LCX373FT Toshiba Semiconductor and Storage 74LCX373FT_datasheet_en_20140624.pdf?did=14693&prodName=74LCX373FT Description: IC D-TYPE TRANSP SGL 8:8 20TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Tri-State
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 8:8
Logic Type: D-Type Transparent Latch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Independent Circuits: 1
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Delay Time - Propagation: 1.5ns
Supplier Device Package: 20-TSSOP
товару немає в наявності
74VHC238FT 74VHC238FT Toshiba Semiconductor and Storage 74VHC238FT_datasheet_en_20160818.pdf?did=28765&prodName=74VHC238FT Description: 74VHC CMOS LOGIC IC SERIES 3-TO-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 1 x 3:8
Type: Decoder
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Independent Circuits: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Voltage Supply Source: Single Supply
Supplier Device Package: 16-TSSOPB
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
TC74ACT14FTEL TC74ACT14FTEL Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC INVERT SCHMIT 6CH 1IN 14TSSOP
Features: Schmitt Trigger
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 2V
Input Logic Level - Low: 0.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 11.4ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 4 µA
товару немає в наявності
TC74HCT540AF(EL,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC BUFFER INVERT 5.5V 20SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 8
Current - Output High, Low: 6mA, 6mA
Supplier Device Package: 20-SOP
товару немає в наявності
TC74HC4050AFTEL TC74HC4050AFTEL Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC BUFFER NON-INVERT 6V 16TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 6
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 7.8mA, 7.8mA
Supplier Device Package: 16-TSSOP
товару немає в наявності
CRS10I30B(TE85L,QM CRS10I30B_datasheet_en_20181115.pdf?did=2128&prodName=CRS10I30B
CRS10I30B(TE85L,QM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A S-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 420 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 30 V
на замовлення 2730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+27.64 грн
16+ 19 грн
100+ 9.6 грн
500+ 7.98 грн
1000+ 6.21 грн
Мінімальне замовлення: 12
CRS10I40B(TE85L,QM CRS10I40B_datasheet_en_20201014.pdf?did=14633&prodName=CRS10I40B
CRS10I40B(TE85L,QM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A S-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 62pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
товару немає в наявності
CRS10I40B(TE85L,QM CRS10I40B_datasheet_en_20201014.pdf?did=14633&prodName=CRS10I40B
CRS10I40B(TE85L,QM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A S-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 62pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
на замовлення 5745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+31.48 грн
13+ 23.73 грн
100+ 14.23 грн
500+ 12.36 грн
1000+ 8.41 грн
Мінімальне замовлення: 10
CRG05(TE85L,Q,M)
CRG05(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A S-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товару немає в наявності
CRG05(TE85L,Q,M)
CRG05(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A S-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+31.48 грн
14+ 21.37 грн
100+ 10.77 грн
500+ 8.96 грн
1000+ 6.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
CRS10I40A(TE85L,QM CRS10I40A_datasheet_en_20220526.pdf?did=14631&prodName=CRS10I40A
CRS10I40A(TE85L,QM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE GEN PURP 40V 1A S-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 700 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 40 V
товару немає в наявності
CRS10I40A(TE85L,QM CRS10I40A_datasheet_en_20220526.pdf?did=14631&prodName=CRS10I40A
CRS10I40A(TE85L,QM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE GEN PURP 40V 1A S-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 700 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 40 V
на замовлення 2799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+31.48 грн
13+ 23.73 грн
100+ 14.23 грн
500+ 12.36 грн
1000+ 8.41 грн
Мінімальне замовлення: 10
CRF02(TE85L,Q,M)
CRF02(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE GEN PURP 800V 500MA S-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 800 V
товару немає в наявності
CRF02(TE85L,Q,M)
CRF02(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE GEN PURP 800V 500MA S-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 800 V
на замовлення 2698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+32.24 грн
13+ 24.03 грн
100+ 14.41 грн
500+ 12.52 грн
1000+ 8.51 грн
Мінімальне замовлення: 10
CRZ30(TE85L,Q,M) CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68
CRZ30(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 30V 700MW SFLAT
Tolerance: ±10%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 30 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 21 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+11.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CRZ30(TE85L,Q,M) CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68
CRZ30(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 30V 700MW SFLAT
Tolerance: ±10%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 30 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 21 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+33.78 грн
11+ 27.58 грн
100+ 19.15 грн
500+ 14.03 грн
1000+ 11.4 грн
Мінімальне замовлення: 10
CRZ10(TE85L,Q,M) CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68
CRZ10(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 10V 700MW SFLAT
Tolerance: ±10%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 10 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 6 V
товару немає в наявності
CRZ10(TE85L,Q,M) CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68
CRZ10(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 10V 700MW SFLAT
Tolerance: ±10%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 10 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 6 V
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+33.78 грн
11+ 27.58 грн
100+ 19.15 грн
500+ 14.03 грн
1000+ 11.4 грн
Мінімальне замовлення: 10
CRZ13(TE85L,Q,M) CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68
CRZ13(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 13V 700MW SFLAT
Tolerance: ±10%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 13 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 9 V
товару немає в наявності
CRZ13(TE85L,Q,M) CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68
CRZ13(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 13V 700MW SFLAT
Tolerance: ±10%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 13 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 9 V
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+33.78 грн
11+ 27.58 грн
100+ 19.15 грн
500+ 14.03 грн
1000+ 11.4 грн
Мінімальне замовлення: 10
CRZ27(TE85L,Q,M) CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68
CRZ27(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 27V 700MW SFLAT
Tolerance: ±10%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 27 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 19 V
товару немає в наявності
CRZ27(TE85L,Q,M) CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68
CRZ27(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 27V 700MW SFLAT
Tolerance: ±10%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 27 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 19 V
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+33.78 грн
11+ 27.58 грн
100+ 19.15 грн
500+ 14.03 грн
1000+ 11.4 грн
Мінімальне замовлення: 10
CRZ20(TE85L,Q,M) CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68
CRZ20(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 20V 700MW SFLAT
Tolerance: ±10%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 20 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 14 V
товару немає в наявності
CRZ20(TE85L,Q,M) CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68
CRZ20(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 20V 700MW SFLAT
Tolerance: ±10%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 20 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 14 V
на замовлення 2830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+33.78 грн
11+ 27.58 грн
100+ 19.15 грн
500+ 14.03 грн
1000+ 11.4 грн
Мінімальне замовлення: 10
CRY68(TE85L,Q,M) CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68
CRY68(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 6.8V 700MW SFLAT
Tolerance: ±10%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.8 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3 V
товару немає в наявності
CRY68(TE85L,Q,M) CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68
CRY68(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 6.8V 700MW SFLAT
Tolerance: ±10%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.8 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3 V
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+33.78 грн
11+ 27.58 грн
100+ 19.15 грн
500+ 14.03 грн
1000+ 11.4 грн
Мінімальне замовлення: 10
CRY62(TE85L,Q,M) CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68
CRY62(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 6.2V 700MW SFLAT
Tolerance: ±9.68%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3 V
товару немає в наявності
CRY62(TE85L,Q,M) CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68
CRY62(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 6.2V 700MW SFLAT
Tolerance: ±9.68%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+33.78 грн
11+ 27.58 грн
100+ 19.15 грн
500+ 14.03 грн
1000+ 11.4 грн
Мінімальне замовлення: 10
CRZ36(TE85L,Q,M) CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68
CRZ36(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 36V 700MW SFLAT
Tolerance: ±10%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 28.8 V
товару немає в наявності
CRZ36(TE85L,Q,M) CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68
CRZ36(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 36V 700MW SFLAT
Tolerance: ±10%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 28.8 V
на замовлення 1374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+33.78 грн
11+ 27.58 грн
100+ 19.15 грн
500+ 14.03 грн
1000+ 11.4 грн
Мінімальне замовлення: 10
DF2S6M5CT,L3F DF2S6M5CT_datasheet_en_20210317.pdf?did=70611&prodName=DF2S6M5CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 19VWM CST2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.6pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: CST2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 37W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
CMS08(TE12L,Q,M) CMS08_datasheet_en_20190307.pdf?did=3142&prodName=CMS08
CMS08(TE12L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A M-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 370 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 mA @ 30 V
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+36.85 грн
11+ 27.06 грн
100+ 16.23 грн
500+ 14.11 грн
1000+ 9.59 грн
Мінімальне замовлення: 9
SSM6N48FU,LF SSM6N48FU_datasheet_en_20140301.pdf?did=2497&prodName=SSM6N48FU
SSM6N48FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15.1pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: US6
товару немає в наявності
SSM6N48FU,LF SSM6N48FU_datasheet_en_20140301.pdf?did=2497&prodName=SSM6N48FU
SSM6N48FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15.1pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: US6
на замовлення 2710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+26.1 грн
20+ 15.3 грн
100+ 9.63 грн
500+ 6.71 грн
1000+ 5.96 грн
Мінімальне замовлення: 12
TC74AC14FTEL
TC74AC14FTEL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERT SCHMIT 6CH 6IN 14TSSOP
Features: Schmitt Trigger
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Number of Inputs: 6
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 2.2V ~ 3.9V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.1V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 9.7ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 4 µA
товару немає в наявності
RN1704,LF docget.jsp?did=18817&prodName=RN1705
RN1704,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: NPNX2 BRT Q1BSR47KOHM Q1BER47KOH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: USV
товару немає в наявності
RN1704,LF docget.jsp?did=18817&prodName=RN1705
RN1704,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: NPNX2 BRT Q1BSR47KOHM Q1BER47KOH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: USV
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+16.89 грн
30+ 9.98 грн
100+ 6.2 грн
Мінімальне замовлення: 19
TLP627M(D4-TP5,E TLP627M_datasheet_en_20181206.pdf?did=63799&prodName=TLP627M
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DC INPUT PHOTOCOUPLER; DIP4; ; V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Darlington
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 150mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 1000% @ 1mA
Vce Saturation (Max): 1.2V
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Output (Max): 300V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 110µs, 30µs
Rise / Fall Time (Typ): 60µs, 30µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+72.93 грн
10+ 43.1 грн
100+ 29.25 грн
500+ 22.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
TLP627MF(TP4,E TLP627M_datasheet_en_20181206.pdf?did=63799&prodName=TLP627M
TLP627MF(TP4,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DC INPUT PHOTOCOUPLER; DIP4; WID
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Darlington
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 150mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 1000% @ 1mA
Vce Saturation (Max): 1.2V
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Output (Max): 300V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 110µs, 30µs
Rise / Fall Time (Typ): 60µs, 30µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+72.93 грн
10+ 43.1 грн
100+ 29.25 грн
500+ 22.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
RN2115MFV,L3F docget.jsp?did=742&prodName=RN2116MFV
RN2115MFV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8000+1.89 грн
16000+ 1.66 грн
Мінімальне замовлення: 8000
RN2115MFV,L3F docget.jsp?did=742&prodName=RN2116MFV
RN2115MFV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 23478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
37+8.44 грн
55+ 5.47 грн
100+ 3.69 грн
500+ 2.63 грн
1000+ 2.35 грн
2000+ 2.1 грн
Мінімальне замовлення: 37
RN4908,LXHF(CT RN4908_datasheet_en_20210824.pdf?did=18963&prodName=RN4908
RN4908,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR PNP + NPN BRT, Q1B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.81 грн
6000+ 4.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RN4908,LXHF(CT RN4908_datasheet_en_20210824.pdf?did=18963&prodName=RN4908
RN4908,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR PNP + NPN BRT, Q1B
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+18.43 грн
Мінімальне замовлення: 17
RN4908FE,LXHF(CT RN4908FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19031&prodName=RN4908FE
RN4908FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+5.1 грн
8000+ 4.5 грн
Мінімальне замовлення: 4000
RN4908FE,LXHF(CT RN4908FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19031&prodName=RN4908FE
RN4908FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+20.73 грн
Мінімальне замовлення: 15
74HC04D 74HC04D_datasheet_en_20160804.pdf?did=37182&prodName=74HC04D
74HC04D
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER 6CH 1-INP 14SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-SOIC
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 13ns @ 6V, 50pF
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+12.3 грн
5000+ 10.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500
74HC04D 74HC04D_datasheet_en_20160804.pdf?did=37182&prodName=74HC04D
74HC04D
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER 6CH 1-INP 14SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-SOIC
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 13ns @ 6V, 50pF
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 7159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+49.9 грн
10+ 29.87 грн
25+ 24.93 грн
100+ 18.09 грн
250+ 15.48 грн
500+ 13.88 грн
1000+ 12.34 грн
Мінімальне замовлення: 7
TLP185(TPR,SE TLP185%28SE_datasheet_en_20191118.pdf?did=14111&prodName=TLP185(SE
TLP185(TPR,SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: X36 PB-F PHOTOCOUPLER SO6 ROHS T
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 6-SOP
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+42.22 грн
13+ 23.88 грн
100+ 15.41 грн
500+ 11.38 грн
1000+ 10.43 грн
Мінімальне замовлення: 8
HN4B102J(TE85L,F) HN4B102J_datasheet_en_20131101.pdf?did=639&prodName=HN4B102J
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER TRANSISTOR SMV MOQ=30
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 750mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1.8A, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 20mA, 600mA / 200mV @ 20mA, 600mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 200mA, 2V
Supplier Device Package: SMV
товару немає в наявності
HN4B102J(TE85L,F) HN4B102J_datasheet_en_20131101.pdf?did=639&prodName=HN4B102J
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER TRANSISTOR SMV MOQ=30
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 750mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1.8A, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 20mA, 600mA / 200mV @ 20mA, 600mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 200mA, 2V
Supplier Device Package: SMV
на замовлення 2502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+69.09 грн
10+ 41.4 грн
100+ 26.97 грн
500+ 19.49 грн
1000+ 17.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
TLP2719(D4-TP4,E docget.jsp?did=61847&prodName=TLP2719
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOCOUPLER SO6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Open Collector
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.6V
Data Rate: 1MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Common Mode Transient Immunity (Min): 10kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 800ns, 800ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 8 mA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+128.98 грн
10+ 79.18 грн
100+ 56.25 грн
500+ 44.3 грн
Мінімальне замовлення: 3
TCKE912NA,RF datasheet_en_20240820.pdf?did=157593
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: EFUSE IC WSON8, 4A/23V FAST PROT
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled, Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 34mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.7V ~ 23V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 4A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-WSON (2x2)
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit, UVLO
товару немає в наявності
TCKE912NA,RF datasheet_en_20240820.pdf?did=157593
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: EFUSE IC WSON8, 4A/23V FAST PROT
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled, Status Flag
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 34mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.7V ~ 23V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 4A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-WSON (2x2)
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit, UVLO
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+123.6 грн
10+ 75.78 грн
25+ 64.35 грн
100+ 48.25 грн
250+ 42.31 грн
500+ 38.68 грн
1000+ 35.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
TCKE920NL,RF datasheet_en_20240820.pdf?did=157593
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: EFUSE IC WSON8, 4A/23V FAST PROT
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled, Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 34mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.7V ~ 23V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 4A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-WSON (2x2)
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit, UVLO
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+35.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
TCKE920NL,RF datasheet_en_20240820.pdf?did=157593
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: EFUSE IC WSON8, 4A/23V FAST PROT
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled, Status Flag
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 34mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.7V ~ 23V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 4A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-WSON (2x2)
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit, UVLO
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+123.6 грн
10+ 75.78 грн
25+ 64.35 грн
100+ 48.25 грн
250+ 42.31 грн
500+ 38.68 грн
1000+ 35.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
TCKE912NL,RF datasheet_en_20240820.pdf?did=157593
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: EFUSE IC WSON8, 4A/23V FAST PROT
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled, Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 34mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.7V ~ 23V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 4A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-WSON (2x2)
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit, UVLO
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+35.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
TCKE912NL,RF datasheet_en_20240820.pdf?did=157593
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: EFUSE IC WSON8, 4A/23V FAST PROT
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled, Status Flag
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 34mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.7V ~ 23V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 4A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-WSON (2x2)
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit, UVLO
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+123.6 грн
10+ 75.78 грн
25+ 64.35 грн
100+ 48.25 грн
250+ 42.31 грн
500+ 38.68 грн
1000+ 35.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
TLP3412SRLA(TP,E(O docget.jsp?did=154721&prodName=TLP3412SRLA
TLP3412SRLA(TP,E(O
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTORELAY; LOWER CR; ROHS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD (0.079", 2.00mm)
Output Type: MOSFET
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.2V
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 500Vrms
Supplier Device Package: S-VSON4T (2x1.45)
Turn On / Turn Off Time (Typ): 110µs, 30µs
Number of Channels: 1
товару немає в наявності
TLP3412SRLA(TP,E(O docget.jsp?did=154721&prodName=TLP3412SRLA
TLP3412SRLA(TP,E(O
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTORELAY; LOWER CR; ROHS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD (0.079", 2.00mm)
Output Type: MOSFET
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.2V
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 500Vrms
Supplier Device Package: S-VSON4T (2x1.45)
Turn On / Turn Off Time (Typ): 110µs, 30µs
Number of Channels: 1
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+450.65 грн
10+ 305.25 грн
100+ 239.14 грн
500+ 199.93 грн
1000+ 192.39 грн
TK080N60Z1,S1F docget.jsp?did=157126&prodName=TK080N60Z1
TK080N60Z1,S1F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 600V DTMOS6 TO-247 80MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.17mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2510 pF @ 300 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+324.75 грн
10+ 210.7 грн
30+ 179.6 грн
74LCX373FT 74LCX373FT_datasheet_en_20140624.pdf?did=14693&prodName=74LCX373FT
74LCX373FT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC D-TYPE TRANSP SGL 8:8 20TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Tri-State
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 8:8
Logic Type: D-Type Transparent Latch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Independent Circuits: 1
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Delay Time - Propagation: 1.5ns
Supplier Device Package: 20-TSSOP
товару немає в наявності
74VHC238FT 74VHC238FT_datasheet_en_20160818.pdf?did=28765&prodName=74VHC238FT
74VHC238FT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 74VHC CMOS LOGIC IC SERIES 3-TO-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 1 x 3:8
Type: Decoder
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Independent Circuits: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Voltage Supply Source: Single Supply
Supplier Device Package: 16-TSSOPB
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
TC74ACT14FTEL
TC74ACT14FTEL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERT SCHMIT 6CH 1IN 14TSSOP
Features: Schmitt Trigger
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 2V
Input Logic Level - Low: 0.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 11.4ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 4 µA
товару немає в наявності
TC74HCT540AF(EL,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER INVERT 5.5V 20SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 8
Current - Output High, Low: 6mA, 6mA
Supplier Device Package: 20-SOP
товару немає в наявності
TC74HC4050AFTEL
TC74HC4050AFTEL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER NON-INVERT 6V 16TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 6
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 7.8mA, 7.8mA
Supplier Device Package: 16-TSSOP
товару немає в наявності
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 214 215 216 217 218 219 220 221 222  [ Наступна Сторінка >> ]