Результат пошуку "2sc55" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
2SC5501A-4-TR-E 2SC5501A-4-TR-E onsemi ONSMS36104-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 2SC5501A - RF TRANSISTOR, 10V, 7
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13dB
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 5V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: 4-MCP
на замовлення 78377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2420+8.52 грн
Мінімальне замовлення: 2420
2SC5501A-4-TR-E ONSEMI ONSMS36104-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC5501A-4-TR-E - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 78377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SC5507-T2-A 2SC5507-T2-A Renesas Electronics Corporation RNCCS06506-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 17dB
Power - Max: 39mW
Current - Collector (Ic) (Max): 12mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 2V
Frequency - Transition: 25GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz
Supplier Device Package: M04
Part Status: Active
на замовлення 37303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1623+12.78 грн
Мінімальне замовлення: 1623
2SC5508-T2B-A 2SC5508-T2B-A Renesas Electronics Corporation RNCCS15868-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: NPN RF TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1925126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
833+25.55 грн
Мінімальне замовлення: 833
2SC5509-T2-A 2SC5509-T2-A California Eastern Laboratories 3559313063157538ne663m04.pdf Trans RF BJT NPN 3.3V 0.1A 190mW 4-Pin Thin-Type Super Mini-Mold T/R
на замовлення 508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SC5509-T2-A 2SC5509-T2-A California Eastern Laboratories 3559313063157538ne663m04.pdf Trans RF BJT NPN 3.3V 0.1A 190mW 4-Pin Thin-Type Super Mini-Mold T/R
на замовлення 508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+9.7 грн
64+ 9.55 грн
65+ 9.4 грн
66+ 8.91 грн
100+ 8.12 грн
250+ 7.67 грн
500+ 7.54 грн
Мінімальне замовлення: 63
2SC5509-T2-A 2SC5509-T2-A Renesas Electronics Corporation RNCCS15869-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 14dB
Power - Max: 190mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 15GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz
Supplier Device Package: SOT-343
Part Status: Obsolete
на замовлення 142500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
833+25.55 грн
Мінімальне замовлення: 833
2SC5536A-TL-H ONSEMI ONSMS36111-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC5536A-TL-H - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 1.7 GHz, 100 mW, 50 mA, SC-81
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SC-81
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 1.7GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 168731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+11.37 грн
Мінімальне замовлення: 8000
2SC5536A-TL-H 2SC5536A-TL-H onsemi ena1092-d.pdf Description: RF TRANS NPN 12V 1.7GHZ 3SSFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-81
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 16dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 3mA, 2V
Frequency - Transition: 1.7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 150MHz
Supplier Device Package: 3-SSFP
Part Status: Obsolete
на замовлення 12620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.54 грн
11+ 27.78 грн
100+ 16.65 грн
500+ 14.46 грн
1000+ 9.84 грн
2000+ 9.05 грн
Мінімальне замовлення: 9
2SC5537A-TL-H onsemi Description: BIP NPN 15MA 6V FT=5G
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5323+4.26 грн
Мінімальне замовлення: 5323
2SC5537A-TL-H ONSEMI (VIA ROCHESTER) nd_datasheet Description: ONSEMI (VIA ROCHESTER) - 2SC5537A-TL-H - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.73 грн
Мінімальне замовлення: 8000
2SC5562(TP,Q) Toshiba Trans GP BJT NPN 800V 0.8A T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+50.94 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2SC5566-TD-E 2SC5566-TD-E ONSEMI en6307-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 4A; 3.5W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 4A
Power dissipation: 3.5W
Case: SOT89
Current gain: 200...560
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 400MHz
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+24.47 грн
Мінімальне замовлення: 17
2SC5566-TD-E 2SC5566-TD-E ONSEMI en6307-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 4A; 3.5W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 4A
Power dissipation: 3.5W
Case: SOT89
Current gain: 200...560
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 400MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 214 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+29.37 грн
Мінімальне замовлення: 10
2SC5566-TD-E 2SC5566-TD-E onsemi EN6307_D-2310835.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 50V
на замовлення 8870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.4 грн
12+ 29.38 грн
100+ 19.91 грн
500+ 16.4 грн
1000+ 14.36 грн
2000+ 13.3 грн
Мінімальне замовлення: 10
2SC5566-TD-E 2SC5566-TD-E ONSEMI ONSMS36373-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC5566-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+34.65 грн
27+ 29.44 грн
100+ 20.21 грн
500+ 15.76 грн
Мінімальне замовлення: 23
2SC5566-TD-E ON Semiconductor 2sa2013-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+30.47 грн
23+ 26.77 грн
100+ 21.13 грн
500+ 17.54 грн
1000+ 13.81 грн
2000+ 12.71 грн
Мінімальне замовлення: 20
2SC5566-TD-E ON Semiconductor 2sa2013-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
360+33.97 грн
363+ 33.69 грн
366+ 33.41 грн
500+ 31.95 грн
Мінімальне замовлення: 360
2SC5566-TD-E 2SC5566-TD-E ONSEMI ONSMS36373-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC5566-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.21 грн
500+ 15.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
2SC5566-TD-E ONSEMI ONSMS36373-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - 2SC5566-TD-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 674313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+16.18 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2SC5566-TD-E 2SC5566-TD-E onsemi en6307-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 4A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 225mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.3 W
на замовлення 1765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.87 грн
10+ 34.96 грн
100+ 24.18 грн
500+ 18.96 грн
Мінімальне замовлення: 8
2SC5566-TD-E 2SC5566-TD-E onsemi en6307-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 4A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 225mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.3 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+17.86 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2SC5566-TD-E ON Semiconductor 2sa2013-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+32.05 грн
20+ 31.8 грн
25+ 31.54 грн
100+ 30.17 грн
250+ 27.7 грн
500+ 26.38 грн
Мінімальне замовлення: 19
2SC5566-TD-E ON Semiconductor 2sa2013-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
424+28.83 грн
537+ 22.76 грн
623+ 19.59 грн
1000+ 16.06 грн
2000+ 14.26 грн
Мінімальне замовлення: 424
2SC5569-TD-E ON Semiconductor 2sa2016-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 3013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
339+36.01 грн
344+ 35.54 грн
457+ 26.73 грн
462+ 25.51 грн
500+ 23.41 грн
1000+ 20.46 грн
3000+ 18.44 грн
Мінімальне замовлення: 339
2SC5569-TD-E 2SC5569-TD-E onsemi en6309-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 7A SOT89/PCP-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 175mA, 3.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 330MHz
Supplier Device Package: SOT-89/PCP-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.3 W
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+23.65 грн
2000+ 20.29 грн
5000+ 19.22 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2SC5569-TD-E 2SC5569-TD-E ONSEMI ONSMS36374-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC5569-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 7 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 7A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 330MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+43.89 грн
22+ 36.47 грн
100+ 24.95 грн
500+ 20.82 грн
Мінімальне замовлення: 18
2SC5569-TD-E 2SC5569-TD-E onsemi en6309-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 7A SOT89/PCP-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 175mA, 3.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 330MHz
Supplier Device Package: SOT-89/PCP-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.3 W
на замовлення 9659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.57 грн
10+ 46.25 грн
100+ 32.03 грн
500+ 25.12 грн
Мінімальне замовлення: 6
2SC5569-TD-E ON Semiconductor 2sa2016-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 3013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+34.48 грн
19+ 33.44 грн
25+ 33 грн
100+ 23.93 грн
250+ 21.94 грн
500+ 20.87 грн
1000+ 18.99 грн
3000+ 17.12 грн
Мінімальне замовлення: 18
2SC5569-TD-E 2SC5569-TD-E onsemi EN6309_D-2311223.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 7A 50V
на замовлення 28628 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.37 грн
10+ 41.43 грн
100+ 25.26 грн
500+ 21.67 грн
1000+ 18.23 грн
2000+ 17.59 грн
Мінімальне замовлення: 7
2SC5569-TD-E 2SC5569-TD-E ONSEMI ONSMS36374-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC5569-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 7 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 7A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 330MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.95 грн
500+ 20.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
2SC5585E3TL 2SC5585E3TL ROHM 2sc5585e3-e.pdf Description: ROHM - 2SC5585E3TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+32.84 грн
33+ 24.55 грн
100+ 13.58 грн
500+ 9.31 грн
1000+ 5.48 грн
Мінімальне замовлення: 25
2SC5585E3TL 2SC5585E3TL Rohm Semiconductor 2sc5585e3-e.pdf Description: NPN, SOT-416, 12V 0.5A, LOW VCE(
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.4 грн
16+ 19.06 грн
100+ 9.61 грн
500+ 7.99 грн
1000+ 6.22 грн
Мінімальне замовлення: 12
2SC5585E3TL 2SC5585E3TL ROHM Semiconductor 2sc5585e3-e.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN, SOT-416, 12V 0.5A, Low VCE(sat) Transistor
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.8 грн
15+ 22.34 грн
100+ 12.1 грн
1000+ 6.33 грн
3000+ 5.7 грн
9000+ 4.93 грн
24000+ 4.57 грн
Мінімальне замовлення: 12
2SC5585E3TL 2SC5585E3TL ROHM 2sc5585e3-e.pdf Description: ROHM - 2SC5585E3TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.58 грн
500+ 9.31 грн
1000+ 5.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
2SC5585E3TL 2SC5585E3TL Rohm Semiconductor 2sc5585e3-e.pdf Trans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1576+7.74 грн
1629+ 7.49 грн
2500+ 7.27 грн
5000+ 6.82 грн
Мінімальне замовлення: 1576
2SC5585E3TL 2SC5585E3TL Rohm Semiconductor 2sc5585e3-e.pdf Trans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SC5585TL 2SC5585TL Rohm Semiconductor datasheet?p=2SC5585&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.45 грн
13+ 22.72 грн
100+ 13.61 грн
500+ 11.82 грн
Мінімальне замовлення: 10
2SC5585TL 2SC5585TL ROHM Semiconductor 2sc5585tl_e-1872114.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN 12V 0.5A SOT-416
на замовлення 6993 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+32.1 грн
13+ 25.01 грн
100+ 12.1 грн
1000+ 8.3 грн
3000+ 6.4 грн
9000+ 6.19 грн
Мінімальне замовлення: 11
2SC5585TL 2SC5585TL Rohm Semiconductor 2sc5585tl-e.pdf Trans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 5803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1080+11.31 грн
1116+ 10.94 грн
2500+ 10.61 грн
5000+ 9.96 грн
Мінімальне замовлення: 1080
2SC5585TL 2SC5585TL Rohm Semiconductor 2sc5585tl-e.pdf Trans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 23965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
910+13.42 грн
1000+ 12.2 грн
1207+ 10.11 грн
2000+ 9.12 грн
3000+ 7.83 грн
6000+ 7.46 грн
12000+ 6.69 грн
Мінімальне замовлення: 910
2SC5594XP-TL-E 2SC5594XP-TL-E Renesas Electronics Corporation RNCCS18184-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 2V
Frequency - Transition: 24GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: CMPAK-4
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
478+44.72 грн
Мінімальне замовлення: 478
2SC5594XP-TL-H 2SC5594XP-TL-H Renesas Electronics Corporation RNCCS18184-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 2V
Frequency - Transition: 24GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: CMPAK-4
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
478+44.72 грн
Мінімальне замовлення: 478
2SC55 NEC CAN
на замовлення 246 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC550 TOSHIBA
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC5508 NEC SOT-343
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC5508 NSC
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC5508-T2 NEC SOT343
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC5508-T2-A 2SC5508_NE662M04.pdf
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC5508-T2B NEC/RENESAS 10+ SOT-343
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC5508-TL-A RENESAS SOT343
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC5509
на замовлення 790 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC551
на замовлення 17400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC5517 ISC
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC552 TOSHIBA
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC553 TOSHIBA
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC554 NEC CAN
на замовлення 159 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC554 TOSHIBA
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC5544YZ-TR RENESAS 03+
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC5545ZS-01TL-E RENESAS SOT143-ZS PB-FRE
на замовлення 2735 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC5501A-4-TR-E ONSMS36104-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SC5501A-4-TR-E
Виробник: onsemi
Description: 2SC5501A - RF TRANSISTOR, 10V, 7
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13dB
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 5V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: 4-MCP
на замовлення 78377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2420+8.52 грн
Мінімальне замовлення: 2420
2SC5501A-4-TR-E ONSMS36104-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5501A-4-TR-E - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 78377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+10.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SC5507-T2-A RNCCS06506-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SC5507-T2-A
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 17dB
Power - Max: 39mW
Current - Collector (Ic) (Max): 12mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 2V
Frequency - Transition: 25GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz
Supplier Device Package: M04
Part Status: Active
на замовлення 37303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1623+12.78 грн
Мінімальне замовлення: 1623
2SC5508-T2B-A RNCCS15868-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SC5508-T2B-A
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: NPN RF TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1925126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
833+25.55 грн
Мінімальне замовлення: 833
2SC5509-T2-A 3559313063157538ne663m04.pdf
2SC5509-T2-A
Виробник: California Eastern Laboratories
Trans RF BJT NPN 3.3V 0.1A 190mW 4-Pin Thin-Type Super Mini-Mold T/R
на замовлення 508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SC5509-T2-A 3559313063157538ne663m04.pdf
2SC5509-T2-A
Виробник: California Eastern Laboratories
Trans RF BJT NPN 3.3V 0.1A 190mW 4-Pin Thin-Type Super Mini-Mold T/R
на замовлення 508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
63+9.7 грн
64+ 9.55 грн
65+ 9.4 грн
66+ 8.91 грн
100+ 8.12 грн
250+ 7.67 грн
500+ 7.54 грн
Мінімальне замовлення: 63
2SC5509-T2-A RNCCS15869-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SC5509-T2-A
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 14dB
Power - Max: 190mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 15GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz
Supplier Device Package: SOT-343
Part Status: Obsolete
на замовлення 142500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
833+25.55 грн
Мінімальне замовлення: 833
2SC5536A-TL-H ONSMS36111-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5536A-TL-H - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 1.7 GHz, 100 mW, 50 mA, SC-81
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SC-81
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 1.7GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 168731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8000+11.37 грн
Мінімальне замовлення: 8000
2SC5536A-TL-H ena1092-d.pdf
2SC5536A-TL-H
Виробник: onsemi
Description: RF TRANS NPN 12V 1.7GHZ 3SSFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-81
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 16dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 3mA, 2V
Frequency - Transition: 1.7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 150MHz
Supplier Device Package: 3-SSFP
Part Status: Obsolete
на замовлення 12620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+36.54 грн
11+ 27.78 грн
100+ 16.65 грн
500+ 14.46 грн
1000+ 9.84 грн
2000+ 9.05 грн
Мінімальне замовлення: 9
2SC5537A-TL-H
Виробник: onsemi
Description: BIP NPN 15MA 6V FT=5G
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5323+4.26 грн
Мінімальне замовлення: 5323
2SC5537A-TL-H nd_datasheet
Виробник: ONSEMI (VIA ROCHESTER)
Description: ONSEMI (VIA ROCHESTER) - 2SC5537A-TL-H - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8000+4.73 грн
Мінімальне замовлення: 8000
2SC5562(TP,Q)
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT NPN 800V 0.8A T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+50.94 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2SC5566-TD-E en6307-d.pdf
2SC5566-TD-E
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 4A; 3.5W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 4A
Power dissipation: 3.5W
Case: SOT89
Current gain: 200...560
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 400MHz
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+24.47 грн
Мінімальне замовлення: 17
2SC5566-TD-E en6307-d.pdf
2SC5566-TD-E
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 4A; 3.5W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 4A
Power dissipation: 3.5W
Case: SOT89
Current gain: 200...560
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 400MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 214 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+29.37 грн
Мінімальне замовлення: 10
2SC5566-TD-E EN6307_D-2310835.pdf
2SC5566-TD-E
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 50V
на замовлення 8870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+34.4 грн
12+ 29.38 грн
100+ 19.91 грн
500+ 16.4 грн
1000+ 14.36 грн
2000+ 13.3 грн
Мінімальне замовлення: 10
2SC5566-TD-E ONSMS36373-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC5566-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5566-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+34.65 грн
27+ 29.44 грн
100+ 20.21 грн
500+ 15.76 грн
Мінімальне замовлення: 23
2SC5566-TD-E 2sa2013-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+30.47 грн
23+ 26.77 грн
100+ 21.13 грн
500+ 17.54 грн
1000+ 13.81 грн
2000+ 12.71 грн
Мінімальне замовлення: 20
2SC5566-TD-E 2sa2013-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
360+33.97 грн
363+ 33.69 грн
366+ 33.41 грн
500+ 31.95 грн
Мінімальне замовлення: 360
2SC5566-TD-E ONSMS36373-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC5566-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5566-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+20.21 грн
500+ 15.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
2SC5566-TD-E ONSMS36373-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5566-TD-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 674313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+16.18 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2SC5566-TD-E en6307-d.pdf
2SC5566-TD-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 4A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 225mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.3 W
на замовлення 1765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+41.87 грн
10+ 34.96 грн
100+ 24.18 грн
500+ 18.96 грн
Мінімальне замовлення: 8
2SC5566-TD-E en6307-d.pdf
2SC5566-TD-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 4A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 225mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.3 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+17.86 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2SC5566-TD-E 2sa2013-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+32.05 грн
20+ 31.8 грн
25+ 31.54 грн
100+ 30.17 грн
250+ 27.7 грн
500+ 26.38 грн
Мінімальне замовлення: 19
2SC5566-TD-E 2sa2013-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
424+28.83 грн
537+ 22.76 грн
623+ 19.59 грн
1000+ 16.06 грн
2000+ 14.26 грн
Мінімальне замовлення: 424
2SC5569-TD-E 2sa2016-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 3013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
339+36.01 грн
344+ 35.54 грн
457+ 26.73 грн
462+ 25.51 грн
500+ 23.41 грн
1000+ 20.46 грн
3000+ 18.44 грн
Мінімальне замовлення: 339
2SC5569-TD-E en6309-d.pdf
2SC5569-TD-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 7A SOT89/PCP-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 175mA, 3.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 330MHz
Supplier Device Package: SOT-89/PCP-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.3 W
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+23.65 грн
2000+ 20.29 грн
5000+ 19.22 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2SC5569-TD-E ONSMS36374-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC5569-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5569-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 7 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 7A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 330MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+43.89 грн
22+ 36.47 грн
100+ 24.95 грн
500+ 20.82 грн
Мінімальне замовлення: 18
2SC5569-TD-E en6309-d.pdf
2SC5569-TD-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 7A SOT89/PCP-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 175mA, 3.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 330MHz
Supplier Device Package: SOT-89/PCP-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.3 W
на замовлення 9659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+55.57 грн
10+ 46.25 грн
100+ 32.03 грн
500+ 25.12 грн
Мінімальне замовлення: 6
2SC5569-TD-E 2sa2016-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 3013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+34.48 грн
19+ 33.44 грн
25+ 33 грн
100+ 23.93 грн
250+ 21.94 грн
500+ 20.87 грн
1000+ 18.99 грн
3000+ 17.12 грн
Мінімальне замовлення: 18
2SC5569-TD-E EN6309_D-2311223.pdf
2SC5569-TD-E
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 7A 50V
на замовлення 28628 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+47.37 грн
10+ 41.43 грн
100+ 25.26 грн
500+ 21.67 грн
1000+ 18.23 грн
2000+ 17.59 грн
Мінімальне замовлення: 7
2SC5569-TD-E ONSMS36374-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC5569-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5569-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 7 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 7A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 330MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+24.95 грн
500+ 20.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
2SC5585E3TL 2sc5585e3-e.pdf
2SC5585E3TL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SC5585E3TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+32.84 грн
33+ 24.55 грн
100+ 13.58 грн
500+ 9.31 грн
1000+ 5.48 грн
Мінімальне замовлення: 25
2SC5585E3TL 2sc5585e3-e.pdf
2SC5585E3TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NPN, SOT-416, 12V 0.5A, LOW VCE(
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+27.4 грн
16+ 19.06 грн
100+ 9.61 грн
500+ 7.99 грн
1000+ 6.22 грн
Мінімальне замовлення: 12
2SC5585E3TL 2sc5585e3-e.pdf
2SC5585E3TL
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN, SOT-416, 12V 0.5A, Low VCE(sat) Transistor
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+29.8 грн
15+ 22.34 грн
100+ 12.1 грн
1000+ 6.33 грн
3000+ 5.7 грн
9000+ 4.93 грн
24000+ 4.57 грн
Мінімальне замовлення: 12
2SC5585E3TL 2sc5585e3-e.pdf
2SC5585E3TL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SC5585E3TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+13.58 грн
500+ 9.31 грн
1000+ 5.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
2SC5585E3TL 2sc5585e3-e.pdf
2SC5585E3TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1576+7.74 грн
1629+ 7.49 грн
2500+ 7.27 грн
5000+ 6.82 грн
Мінімальне замовлення: 1576
2SC5585E3TL 2sc5585e3-e.pdf
2SC5585E3TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SC5585TL datasheet?p=2SC5585&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SC5585TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+30.45 грн
13+ 22.72 грн
100+ 13.61 грн
500+ 11.82 грн
Мінімальне замовлення: 10
2SC5585TL 2sc5585tl_e-1872114.pdf
2SC5585TL
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN 12V 0.5A SOT-416
на замовлення 6993 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+32.1 грн
13+ 25.01 грн
100+ 12.1 грн
1000+ 8.3 грн
3000+ 6.4 грн
9000+ 6.19 грн
Мінімальне замовлення: 11
2SC5585TL 2sc5585tl-e.pdf
2SC5585TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 5803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1080+11.31 грн
1116+ 10.94 грн
2500+ 10.61 грн
5000+ 9.96 грн
Мінімальне замовлення: 1080
2SC5585TL 2sc5585tl-e.pdf
2SC5585TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 23965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
910+13.42 грн
1000+ 12.2 грн
1207+ 10.11 грн
2000+ 9.12 грн
3000+ 7.83 грн
6000+ 7.46 грн
12000+ 6.69 грн
Мінімальне замовлення: 910
2SC5594XP-TL-E RNCCS18184-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SC5594XP-TL-E
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 2V
Frequency - Transition: 24GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: CMPAK-4
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
478+44.72 грн
Мінімальне замовлення: 478
2SC5594XP-TL-H RNCCS18184-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SC5594XP-TL-H
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 2V
Frequency - Transition: 24GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: CMPAK-4
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
478+44.72 грн
Мінімальне замовлення: 478
2SC55
Виробник: NEC
CAN
на замовлення 246 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC550
Виробник: TOSHIBA
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC5508
Виробник: NEC
SOT-343
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC5508
Виробник: NSC
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC5508-T2
Виробник: NEC
SOT343
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC5508-T2-A 2SC5508_NE662M04.pdf
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC5508-T2B
Виробник: NEC/RENESAS
10+ SOT-343
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC5508-TL-A
Виробник: RENESAS
SOT343
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC5509
на замовлення 790 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC551
на замовлення 17400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC5517
Виробник: ISC
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC552
Виробник: TOSHIBA
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC553
Виробник: TOSHIBA
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC554
Виробник: NEC
CAN
на замовлення 159 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC554
Виробник: TOSHIBA
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC5544YZ-TR
Виробник: RENESAS
03+
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SC5545ZS-01TL-E
Виробник: RENESAS
SOT143-ZS PB-FRE
на замовлення 2735 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]