Результат пошуку "2sc35" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 1233
Мінімальне замовлення: 1025
Мінімальне замовлення: 300
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 125
Мінімальне замовлення: 125
Мінімальне замовлення: 125
Мінімальне замовлення: 127
Мінімальне замовлення: 136
Мінімальне замовлення: 4579
Мінімальне замовлення: 3806
Мінімальне замовлення: 11539
Мінімальне замовлення: 13889
Мінімальне замовлення: 2671
Мінімальне замовлення: 2219
Мінімальне замовлення: 4438
Мінімальне замовлення: 5342
Мінімальне замовлення: 666
Мінімальне замовлення: 833
Мінімальне замовлення: 365
Мінімальне замовлення: 452
Мінімальне замовлення: 526
Мінімальне замовлення: 437
Мінімальне замовлення: 1902
Мінімальне замовлення: 2290
Мінімальне замовлення: 2219
Мінімальне замовлення: 2671
Мінімальне замовлення: 460
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
2SC3535 Код товару: 82685 |
NEC |
Транзистори > Біполярні NPN Корпус: MP-80 fT: 12 MHz Uceo,V: 450 V Ucbo,V: 1000 V Ic,A: 5 А h21: 10 |
у наявності: 1 шт
1 шт - РАДІОМАГ-Одеса
|
|
||||||||||
![]() |
2SC3503E | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 7W Bauform - Transistor: TO-126 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: 2SC3503 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 54213 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
2SC3503E | onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 2mA, 20mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: TO-126-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 7 W |
на замовлення 54213 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
2SC3518-Z-AZ | Renesas |
![]() |
на замовлення 431 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
2SC3519 | Sanken Electric USA Inc. |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5A, 4V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 130 W |
на замовлення 1112 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
2SC3519 | PMC-Sierra |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
2SC3519 | Sanken |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
2SC3519A | Sanken Electric USA Inc. |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5A, 4V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V Power - Max: 130 W |
на замовлення 1104 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
2SC3519A | Sanken Electric Company, Ltd. |
![]() |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
![]() |
2SC3568(1)-S6-AZ | Renesas Electronics Corporation |
![]() Packaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 771 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
2SC3568(2)-S6-AZ | Renesas Electronics Corporation |
![]() Packaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 652 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
2SC3568(8)-AZ | Renesas Electronics Corporation |
![]() Packaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 9976 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
2SC3568-AZ | Renesas Electronics Corporation |
![]() Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 3A, 5V Supplier Device Package: TO-220F Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 30 W |
на замовлення 5270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
2SC3571-AZ | Renesas Electronics Corporation |
![]() Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 5V Supplier Device Package: TO-220F Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 30 W |
на замовлення 19025 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
2SC3576 | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 35650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
2SC3576 | onsemi |
![]() Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: 3-SSIP Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: 3-SPA Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW |
на замовлення 35650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
2SC3576-AC | onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 3-SSIP Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 200mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: 3-SPA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
2SC3576-AC | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
2SC3576-JVC-AC | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 29359 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
2SC3576-JVC-AC | onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 3-SSIP Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 200mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: 3-SPA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 29359 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
2SC3576-MTK-AC | onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 3-SSIP Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 200mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: 3-SPA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
2SC3576-MTK-AC | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
2SC3583-T1B-A | Renesas Electronics Corporation |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 13dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 65mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 8V Frequency - Transition: 9GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz Supplier Device Package: SOT23-3 (TO-236) Part Status: Obsolete |
на замовлення 108160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
2SC3585-T1B-A | Renesas Electronics Corporation |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 9dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 35mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 6V Frequency - Transition: 10GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz Supplier Device Package: SOT23-3 (TO-236) Part Status: Obsolete |
на замовлення 416384 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
2SC3591 | Sanyo |
![]() Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-220AB Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V Power - Max: 50 W |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
2SC3595D | Sanyo |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V Frequency - Transition: 2GHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 1.2 W |
на замовлення 7513 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
2SC3596E | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 12014 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
2SC3596E | onsemi |
![]() Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V Frequency - Transition: 700MHz Supplier Device Package: TO-126 Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.2 W |
на замовлення 12014 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
2SC3597D | onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 10V Frequency - Transition: 800MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.2 W |
на замовлення 7800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
2SC3597D | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 7800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
2SC3598E | onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V Frequency - Transition: 500MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 1.2 W |
на замовлення 6800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
2SC3598E | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 6800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
2SC3599E | Sanyo |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 7mA, 70mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V Frequency - Transition: 500MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 1.2 W |
на замовлення 4405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
2SC35 |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
2SC350 | NEC | CAN |
на замовлення 495 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
2SC3500 | NEC |
на замовлення 212 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||
2SC3500 | NEC | TO-55 |
на замовлення 212 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
2SC3501 |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
2SC3502 |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
2SC3502-E |
на замовлення 1052 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
2SC3502E | SANYO | 99 TO-126 |
на замовлення 630 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
2SC3503 |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
2SC3505 | FUJI | 00+ SC-65 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
2SC3505 | FUJI | MODULE |
на замовлення 454 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
2SC3506 |
![]() |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||
2SC3507 | PAN |
![]() |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
2SC3508 |
на замовлення 17400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
2SC3509 |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
2SC351 | CAN |
на замовлення 1030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||
2SC351 |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
2SC3510 |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
2SC3511 |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
2SC3512 |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
2SC3513 |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
2SC3513IS | HITACHI | 97+ SOT-23 |
на замовлення 31999 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
2SC3513IS | HITACHI | SOT23 |
на замовлення 3600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
2SC3513ISTL |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
2SC3513S-TR | HITACHI | 99+ SOT23 |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
2SC3514 |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
2SC3514-T1 |
на замовлення 4501 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
2SC3535 Код товару: 82685 |
Виробник: NEC
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: MP-80
fT: 12 MHz
Uceo,V: 450 V
Ucbo,V: 1000 V
Ic,A: 5 А
h21: 10
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: MP-80
fT: 12 MHz
Uceo,V: 450 V
Ucbo,V: 1000 V
Ic,A: 5 А
h21: 10
у наявності: 1 шт
1 шт - РАДІОМАГ-Одеса
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 101 грн |
2SC3503E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3503E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Einfach NPN, 300 V, 100 mA, 7 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: 2SC3503 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - 2SC3503E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Einfach NPN, 300 V, 100 mA, 7 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: 2SC3503 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 54213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1233+ | 25.04 грн |
2SC3503E |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 7 W
Description: TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 7 W
на замовлення 54213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1025+ | 20.22 грн |
2SC3518-Z-AZ |
![]() |
Виробник: Renesas
Trans GP BJT NPN 60V 5A 2000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252
Trans GP BJT NPN 60V 5A 2000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
300+ | 40.57 грн |
311+ | 39.26 грн |
315+ | 38.75 грн |
2SC3519 |
![]() |
Виробник: Sanken Electric USA Inc.
Description: TRANS NPN 160V 15A TO3P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5A, 4V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 130 W
Description: TRANS NPN 160V 15A TO3P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5A, 4V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 130 W
на замовлення 1112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 325.25 грн |
10+ | 262.52 грн |
100+ | 212.39 грн |
1000+ | 151.7 грн |
2SC3519 |
![]() |
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 58.57 грн |
2SC3519 |
![]() |
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 58.57 грн |
2SC3519A |
![]() |
Виробник: Sanken Electric USA Inc.
Description: TRANS NPN 180V 15A TO3P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5A, 4V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V
Power - Max: 130 W
Description: TRANS NPN 180V 15A TO3P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5A, 4V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V
Power - Max: 130 W
на замовлення 1104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 350.09 грн |
10+ | 223.8 грн |
100+ | 159.4 грн |
500+ | 123.75 грн |
1000+ | 115.44 грн |
2SC3519A |
![]() |
Виробник: Sanken Electric Company, Ltd.
Trans GP BJT NPN 180V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
Trans GP BJT NPN 180V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)2SC3568(1)-S6-AZ |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
125+ | 167.33 грн |
2SC3568(2)-S6-AZ |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
125+ | 167.33 грн |
2SC3568(8)-AZ |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 9976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
125+ | 167.33 грн |
2SC3568-AZ |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 3A, 5V
Supplier Device Package: TO-220F
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 30 W
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 3A, 5V
Supplier Device Package: TO-220F
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 30 W
на замовлення 5270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
127+ | 165.24 грн |
2SC3571-AZ |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 5V
Supplier Device Package: TO-220F
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 30 W
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 5V
Supplier Device Package: TO-220F
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 30 W
на замовлення 19025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
136+ | 154.78 грн |
2SC3576 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3576 - 2SC3576, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SC3576 - 2SC3576, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 35650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4579+ | 6.75 грн |
2SC3576 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 3-SPA
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 3-SPA
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 35650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3806+ | 5.58 грн |
2SC3576-AC |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 200mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 3-SPA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 300 mW
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 200mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 3-SPA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11539+ | 2.09 грн |
2SC3576-AC |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3576-AC - 2SC3576-AC, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SC3576-AC - 2SC3576-AC, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13889+ | 2.22 грн |
2SC3576-JVC-AC |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3576-JVC-AC - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SC3576-JVC-AC - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 29359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2671+ | 11.59 грн |
2SC3576-JVC-AC |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: BIP NPN 0.3A 25V
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 200mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 3-SPA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 300 mW
Description: BIP NPN 0.3A 25V
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 200mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 3-SPA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 29359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2219+ | 9.76 грн |
2SC3576-MTK-AC |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: BIP NPN 0.3A 25V
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 200mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 3-SPA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 300 mW
Description: BIP NPN 0.3A 25V
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 200mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 3-SPA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4438+ | 4.88 грн |
2SC3576-MTK-AC |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3576-MTK-AC - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SC3576-MTK-AC - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5342+ | 5.79 грн |
2SC3583-T1B-A |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: 2SC3583 - MD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 65mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 8V
Frequency - Transition: 9GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SOT23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Description: 2SC3583 - MD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 65mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 8V
Frequency - Transition: 9GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SOT23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
на замовлення 108160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
666+ | 31.38 грн |
2SC3585-T1B-A |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: NPN TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 9dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 6V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz
Supplier Device Package: SOT23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Description: NPN TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 9dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 6V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz
Supplier Device Package: SOT23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
на замовлення 416384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
833+ | 25.1 грн |
2SC3591 |
![]() |
Виробник: Sanyo
Description: NPN SILICON TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-220AB
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 50 W
Description: NPN SILICON TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-220AB
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 50 W
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
365+ | 57.17 грн |
2SC3595D |
![]() |
Виробник: Sanyo
Description: NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 2GHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1.2 W
Description: NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 2GHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1.2 W
на замовлення 7513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
452+ | 46.02 грн |
2SC3596E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3596E - 2SC3596E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SC3596E - 2SC3596E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
526+ | 58.76 грн |
2SC3596E |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 700MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.2 W
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 700MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.2 W
на замовлення 12014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
437+ | 48.11 грн |
2SC3597D |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: NPN SILICON TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 800MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.2 W
Description: NPN SILICON TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 800MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.2 W
на замовлення 7800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1902+ | 11.16 грн |
2SC3597D |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3597D - 2SC3597D, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SC3597D - 2SC3597D, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2290+ | 13.52 грн |
2SC3598E |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: NPN SILICON TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 500MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1.2 W
Description: NPN SILICON TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 500MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1.2 W
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2219+ | 9.76 грн |
2SC3598E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3598E - 2SC3598E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SC3598E - 2SC3598E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2671+ | 11.59 грн |
2SC3599E |
![]() |
Виробник: Sanyo
Description: NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 7mA, 70mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 500MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1.2 W
Description: NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 7mA, 70mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 500MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1.2 W
на замовлення 4405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
460+ | 45.32 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]