| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FMX-4206S | Sanken |
 Description: DIODE ARRAY GP 600V 20A TO3PF |
товар відсутній |
||||||||||||
 |
FMXA-1104S | SANKEN |
Diode Switching 400V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220F |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
FMXA-1054S | Sanken |
Description: DIODE GEN PURP 400V 5A TO220F-2L |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
FMXA-1104S | Sanken |
Description: DIODE GEN PURP 400V 10A TO220F |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
FMXA-2102ST | Sanken |
Description: DIODE ARRAY GP 200V 10A TO220F |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
FMXA-2202S | Sanken |
Description: DIODE ARRAY GP 200V 20A TO220F |
на замовлення 410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
|
|
FMXA-2203S | Sanken |
Description: DIODE ARRAY GP 300V 20A TO220F |
на замовлення 308 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| FMXA-4206S | Sanken |
Description: DIODE GEN PURP 600V 20A TO3PF |
товар відсутній |
||||||||||||
|
|
FMX-G12S | Sanken |
Description: DIODE GEN PURP 200V 5A TO220F-2L |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
| FMX-G12S | SANKEN |
09+ |
на замовлення 518 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
|
|
FMX-G16S | Sanken |
Description: DIODE GEN PURP 600V 5A TO220F-2L |
на замовлення 428 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
|
|
FMXK-1086S | Sanken |
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220F-2L |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
FMXK-1106S | Sanken |
Description: DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F |
на замовлення 484 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
|
|
FMY-1036S | Sanken |
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A TO220F-2L |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
FMY-1106S | Sanken |
Description: DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 200 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220F-2L Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V |
на замовлення 236 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| FSG300X2N | SANKEN |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||
| FSG300X2N | SanKen | 07+; |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
| FSM30X6S | SanKen | 30A/600V/PIM/7U |
на замовлення 55 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
| FSM50X6S | SanKen | 07+; |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
| FSM50X6S | SanKen | 50A/600V/PIM/7U |
на замовлення 55 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
| FST100Z2 | SanKen | 07+; |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
| FST100Z2 | SanKen | 100A/1200V/GTR/2U |
на замовлення 55 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
| FST150Z2 | SanKen | 07+; |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
| FST150Z2 | SanKen | 150A/1200V/GTR/2U |
на замовлення 55 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
| FST150Z2 | SANKEN | H2-6 |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
| FST30Z2 | SanKen | 07+; |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
| FST30Z2 | SanKen | 30A/1200V/GTR/2U |
на замовлення 55 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
| FST30Z2 | SANKEN | MODULE |
на замовлення 70 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
| FST30Z6 | SanKen | 07+; |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
| FST30Z6 | SANKEN | MODULE |
на замовлення 84 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
| FST50Z2 | SANKEN |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||
| FST50Z2 | SanKen | 07+; |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
| FST50Z2 | SanKen | 50A/1200V/GTR/2U |
на замовлення 55 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
| FST50Z2 | SANKEN | CDH4-5 |
на замовлення 19 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
| FST50Z2 | SANKEN | MODULE |
на замовлення 152 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
| FST75Z2 | SanKen | 07+; |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
| FST75Z2 | SanKen | 75A/1200V/GTR/2U |
на замовлення 55 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
| FST75Z2 | SANKEN | MODULE |
на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
| FW150B9 | SANKEN | MODULE |
на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
| FW250A1 | SANKEN |
MODULE |
на замовлення 478 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
| FW300A1 | SANKEN |
MODULE |
на замовлення 715 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
| FW300B1 | SANKEN |
MODULE |
на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
 |
GKI03026 | Sanken |
Description: MOSFET N-CH 30V 22A 8DFN |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
|
|
GKI03026 | Sanken |
Description: MOSFET N-CH 30V 22A 8DFN |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
GKI03026 | Sanken |
Description: MOSFET N-CH 30V 22A 8DFN |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
GKI03039 | Sanken |
Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8DFN |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
GKI03039 | Sanken |
Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8DFN |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
|
|
GKI03039 | Sanken |
Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8DFN |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
GKI03061 | Sanken |
Description: MOSFET N-CH 30V 26A 8DFN |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
GKI03061 | Sanken |
Description: MOSFET N-CH 30V 26A 8DFN |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
|
|
GKI03061 | Sanken |
Description: MOSFET N-CH 30V 26A 8DFN |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
GKI03080 | Sanken |
Description: MOSFET N-CH 30V 26A 8DFN |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
GKI03080 | Sanken |
Description: MOSFET N-CH 30V 26A 8DFN |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
GKI03080 | Sanken |
Description: MOSFET N-CH 30V 26A 8DFN |
на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
|
|
GKI04031 | Sanken |
Description: MOSFET N-CH 40V 17A 8DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 51A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 77W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3910 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
GKI04031 | Sanken |
Description: MOSFET N-CH 40V 17A 8DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 51A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 77W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3910 pF @ 25 V |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
GKI04048 | Sanken |
Description: MOSFET N-CH 40V 14A 8DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 35.4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 59W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 650µA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 25 V |
на замовлення 2416 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
GKI04048 | Sanken |
Description: MOSFET N-CH 40V 14A 8DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 35.4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 59W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 650µA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
GKI04076 | Sanken |
Description: MOSFET N-CH 40V 11A 8DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 23.3A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 350µA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
GKI04076 | Sanken |
Description: MOSFET N-CH 40V 11A 8DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 23.3A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 350µA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V |
товар відсутній |
| FMXA-2202S |
|
Виробник: Sanken
Description: DIODE ARRAY GP 200V 20A TO220F
Description: DIODE ARRAY GP 200V 20A TO220F
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| FMXA-2203S |
|
Виробник: Sanken
Description: DIODE ARRAY GP 300V 20A TO220F
Description: DIODE ARRAY GP 300V 20A TO220F
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 231.97 грн |
| 10+ | 200.67 грн |
| 100+ | 164.45 грн |
| FMX-G12S |
|
Виробник: Sanken
Description: DIODE GEN PURP 200V 5A TO220F-2L
Description: DIODE GEN PURP 200V 5A TO220F-2L
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| FMX-G16S |
|
Виробник: Sanken
Description: DIODE GEN PURP 600V 5A TO220F-2L
Description: DIODE GEN PURP 600V 5A TO220F-2L
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| FMXK-1106S |
|
Виробник: Sanken
Description: DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F
Description: DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| FMY-1106S |
|
Виробник: Sanken
Description: DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220F-2L
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V
Description: DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220F-2L
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 135.06 грн |
| 10+ | 116.83 грн |
| 100+ | 93.91 грн |
| GKI03026 |
|
Виробник: Sanken
Description: MOSFET N-CH 30V 22A 8DFN
Description: MOSFET N-CH 30V 22A 8DFN
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| GKI03039 |
|
Виробник: Sanken
Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8DFN
Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8DFN
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| GKI03061 |
|
Виробник: Sanken
Description: MOSFET N-CH 30V 26A 8DFN
Description: MOSFET N-CH 30V 26A 8DFN
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| GKI03080 |
|
Виробник: Sanken
Description: MOSFET N-CH 30V 26A 8DFN
Description: MOSFET N-CH 30V 26A 8DFN
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| GKI04031 |
|
Виробник: Sanken
Description: MOSFET N-CH 40V 17A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3910 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 40V 17A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3910 pF @ 25 V
товар відсутній
| GKI04031 |
|
Виробник: Sanken
Description: MOSFET N-CH 40V 17A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3910 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 40V 17A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3910 pF @ 25 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 157.19 грн |
| GKI04048 |
|
Виробник: Sanken
Description: MOSFET N-CH 40V 14A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 35.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 650µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 40V 14A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 35.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 650µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 25 V
на замовлення 2416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 123.61 грн |
| 10+ | 106.25 грн |
| 100+ | 82.81 грн |
| 500+ | 64.2 грн |
| 1000+ | 50.68 грн |
| GKI04048 |
|
Виробник: Sanken
Description: MOSFET N-CH 40V 14A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 35.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 650µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 40V 14A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 35.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 650µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 25 V
товар відсутній
| GKI04076 |
|
Виробник: Sanken
Description: MOSFET N-CH 40V 11A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 23.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 350µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 40V 11A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 23.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 350µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 85.46 грн |
| 10+ | 73.7 грн |
| GKI04076 |
|
Виробник: Sanken
Description: MOSFET N-CH 40V 11A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 23.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 350µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 40V 11A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 23.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 350µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
товар відсутній