ZXTP2013ZTA Diodes Zetex
на замовлення 47000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 23.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXTP2013ZTA Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - ZXTP2013ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3.5 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3.5A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.1W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 125MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції ZXTP2013ZTA за ціною від 18.48 грн до 69.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
ZXTP2013ZTA | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans GP BJT PNP 100V 3.5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 47000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXTP2013ZTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 100V 3.5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 47000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXTP2013ZTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 100V 3.5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 41000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXTP2013ZTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 100V 3.5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXTP2013ZTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 100V 3.5A SOT89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 2.1 W |
на замовлення 68000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXTP2013ZTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 100V 3.5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXTP2013ZTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 100V 3.5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXTP2013ZTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTP2013ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3.5 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 125MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 812 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXTP2013ZTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT 100V PNP Low Sat |
на замовлення 1318 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXTP2013ZTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 100V 3.5A SOT89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 2.1 W |
на замовлення 68269 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXTP2013ZTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTP2013ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3.5 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 125MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 812 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| ZXTP2013ZTA |
|
на замовлення 11000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
|
ZXTP2013ZTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 100V 3.5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
ZXTP2013ZTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 100V 3.5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
ZXTP2013ZTA | Виробник : Diodes Inc |
Trans GP BJT PNP 100V 3.5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товар відсутній |