ZXMP6A18DN8TA Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 60V 3.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 53500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 61.04 грн |
| 1000+ | 47.88 грн |
| 2500+ | 45.07 грн |
| 5000+ | 40.28 грн |
| 12500+ | 38.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXMP6A18DN8TA Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - ZXMP6A18DN8TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.7 A, 0.055 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.25W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.055ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції ZXMP6A18DN8TA за ціною від 41.21 грн до 141.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZXMP6A18DN8TA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -3.8A; 1.25W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -3.8A Power dissipation: 1.25W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 55mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 204 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXMP6A18DN8TA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -3.8A; 1.25W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -3.8A Power dissipation: 1.25W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 55mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 204 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXMP6A18DN8TA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2P-CH 60V 3.7A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SO |
на замовлення 54254 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ZXMP6A18DN8TA | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET Dl 60V P-Chnl UMOS |
на замовлення 3204 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ZXMP6A18DN8TA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMP6A18DN8TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.7 A, 0.055 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.25W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.055ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 37 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXMP6A18DN8TA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMP6A18DN8TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.7 A, 0.055 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 1.25W Kanaltyp: p-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 37 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
 |
ZXMP6A18DN8TA | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 60V 3.7A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |