ZXMP6A16DN8QTA Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.81W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1021pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 6500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 64.28 грн |
| 1000+ | 48.87 грн |
| 2500+ | 45.61 грн |
| 5000+ | 40.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXMP6A16DN8QTA Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.81W, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1021pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min), Supplier Device Package: 8-SO.
Інші пропозиції ZXMP6A16DN8QTA за ціною від 74.94 грн до 111.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
ZXMP6A16DN8QTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.81W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1021pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SO |
на замовлення 6500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
ZXMP6A16DN8QTA | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A Automotive 8-Pin SO T/R |
товар відсутній |
|||||||||
 |
ZXMP6A16DN8QTA | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET Dual P-Ch 60V Enh 2.15W -1Vgs 1021pF |
товар відсутній |