ZTX849STZ

ZTX849STZ Diodes Incorporated


ZTX849.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT NPN Big Chip SELine
на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+79.64 грн
10+ 64.94 грн
100+ 43.95 грн
500+ 37.26 грн
1000+ 30.28 грн
2000+ 28.56 грн
4000+ 27.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZTX849STZ Diodes Incorporated

Description: TRANS NPN 30V 5A E-LINE, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: E-Line-3, Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 5A, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible), Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 1.2 W.

Інші пропозиції ZTX849STZ

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
ZTX849STZ ZTX849STZ Виробник : Diodes Zetex ztx849.pdf Trans GP BJT NPN 30V 5A 1200mW 3-Pin E-Line Box
товар відсутній
ZTX849STZ ZTX849STZ Виробник : Diodes Inc ztx849.pdf Trans GP BJT NPN 30V 5A 1200mW 3-Pin E-Line Box
товар відсутній
ZTX849STZ ZTX849STZ Виробник : Diodes Incorporated ZTX849.pdf Description: TRANS NPN 30V 5A E-LINE
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: E-Line-3, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 1.2 W
товар відсутній