WNSC2D04650Q WeEn Semiconductors
Виробник: WeEn Semiconductors
SiC Schottky Diodes WNSC2D04650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
SiC Schottky Diodes WNSC2D04650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
на замовлення 2876 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 104.06 грн |
10+ | 87.69 грн |
100+ | 55.39 грн |
500+ | 44.74 грн |
1000+ | 37.48 грн |
5000+ | 36.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис WNSC2D04650Q WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 4A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V.
Інші пропозиції WNSC2D04650Q
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
WNSC2D04650Q | Виробник : Ween | WNSC2D04650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK |
товар відсутній |
||
WNSC2D04650Q | Виробник : WeEn Semiconductors |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220AC; Ufmax: 2.2V Technology: SiC Case: TO220AC Mounting: THT Kind of package: tube Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 650V Type of diode: Schottky rectifying Load current: 4A Max. forward voltage: 2.2V Max. load current: 8A Max. forward impulse current: 24A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
WNSC2D04650Q | Виробник : WeEn Semiconductors |
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V |
товар відсутній |
||
WNSC2D04650Q | Виробник : WeEn Semiconductors |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220AC; Ufmax: 2.2V Technology: SiC Case: TO220AC Mounting: THT Kind of package: tube Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 650V Type of diode: Schottky rectifying Load current: 4A Max. forward voltage: 2.2V Max. load current: 8A Max. forward impulse current: 24A |
товар відсутній |