WMAA6N80D1B WAYON
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.7Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.7Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис WMAA6N80D1B WAYON
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; TO251, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 800V, Drain current: 6A, Case: TO251, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 2.7Ω, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції WMAA6N80D1B
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
WMAA6N80D1B | Виробник : WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; TO251 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 6A Case: TO251 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.7Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |