Результат пошуку "wm02p26m" : 1
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 16
В кошику
од. на суму грн.
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
WM02P26M | WAYON |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.6A; Idm: -10A; 1W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.6A Pulsed drain current: -10A Power dissipation: 1W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 65mΩ Mounting: SMD Gate charge: 4.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 897 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| WM02P26M |
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.6A; Idm: -10A; 1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.6A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.6A; Idm: -10A; 1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.6A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 897 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 27.47 грн |
| 43+ | 9.41 грн |
| 94+ | 4.27 грн |
| 223+ | 1.79 грн |
| 500+ | 1.61 грн |
| 688+ | 1.36 грн |