VN2110K1-G Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 100V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 34.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VN2110K1-G Microchip Technology
Description: MICROCHIP - VN2110K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції VN2110K1-G за ціною від 24.91 грн до 73.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
VN2110K1-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 707 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
VN2110K1-G | Виробник : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - VN2110K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4337 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
VN2110K1-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 707 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
VN2110K1-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
VN2110K1-G | Виробник : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - VN2110K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4337 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
VN2110K1-G | Виробник : Microchip Technology |
MOSFETs 100V 4Ohm |
на замовлення 4019 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
VN2110K1-G | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 100V 200MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
на замовлення 8341 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
VN2110K1-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
VN2110K1-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
VN2110K1-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.6A; 360mW; SOT23-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Pulsed drain current: 0.6A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
VN2110K1-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.6A; 360mW; SOT23-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Pulsed drain current: 0.6A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |