UMB4NTN ROHM Semiconductor
на замовлення 2964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 34.32 грн |
14+ | 24.9 грн |
100+ | 12.23 грн |
1000+ | 6.19 грн |
3000+ | 4.96 грн |
9000+ | 4.24 грн |
24000+ | 4.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UMB4NTN ROHM Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 150mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Supplier Device Package: UMT6.
Інші пропозиції UMB4NTN
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
UMB4NTN | Виробник : ROHM |
на замовлення 12200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
UMB4NTN | Виробник : ROHM | 09+ |
на замовлення 277118 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
UMB4 N TN | Виробник : ROHM | SOT363-B4 |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
UMB4NTN | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR | UMB4NTN PNP SMD transistors |
товар відсутній |
||
UMB4NTN | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Supplier Device Package: UMT6 |
товар відсутній |
||
UMB4NTN | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Supplier Device Package: UMT6 |
товар відсутній |