на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 93.99 грн |
| 10+ | 70.07 грн |
| 100+ | 40.93 грн |
| 500+ | 33.95 грн |
| 1000+ | 27.69 грн |
| 5000+ | 26.9 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TRS2E65F,S1Q Toshiba
Description: DIODE SIL CARB 650V 2A TO220-2L, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 8.7pF @ 650V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: TO-220-2L, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V.
Інші пропозиції TRS2E65F,S1Q за ціною від 45.7 грн до 112.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TRS2E65F,S1Q | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: DIODE SIL CARB 650V 2A TO220-2LPackaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 8.7pF @ 650V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: TO-220-2L Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|