TRS12N65FB,S1Q Toshiba
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 323.94 грн |
| 10+ | 214.25 грн |
| 30+ | 185.59 грн |
| 60+ | 181.99 грн |
| 270+ | 158.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TRS12N65FB,S1Q Toshiba
Description: DIODE ARR SIC SCHOTT 650V TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 6A (DC), Supplier Device Package: TO-247, Operating Temperature - Junction: 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 6 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V.
Інші пропозиції TRS12N65FB,S1Q за ціною від 216.32 грн до 396.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TRS12N65FB,S1Q | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: DIODE ARR SIC SCHOTT 650V TO247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 6A (DC) Supplier Device Package: TO-247 Operating Temperature - Junction: 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V |
на замовлення 53 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
TRS12N65FB,S1Q Код товару: 188826 |
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні |
товар відсутній
|