на замовлення 2727 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 42.13 грн |
10+ | 41.2 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TP5322N8-G Microchip Technology
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -220V; -0.7A; 1.6W; SOT89-3, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -220V, Pulsed drain current: -0.7A, Power dissipation: 1.6W, Case: SOT89-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 12Ω, Mounting: SMD, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції TP5322N8-G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
TP5322N8-G | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET P-CH Si 220V 0.26A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товар відсутній |
||
TP5322N8-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -220V; -0.7A; 1.6W; SOT89-3 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -220V Pulsed drain current: -0.7A Power dissipation: 1.6W Case: SOT89-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
TP5322N8-G | Виробник : Microchip Technology | Description: MOSFET P-CH 220V 0.26A SOT89-3 |
товар відсутній |
||
TP5322N8-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -220V; -0.7A; 1.6W; SOT89-3 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -220V Pulsed drain current: -0.7A Power dissipation: 1.6W Case: SOT89-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |