TP2104K1-G Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: MOSFET P-CH 40V 160MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 43.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TP2104K1-G Microchip Technology
Description: MICROCHIP - TP2104K1-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 160 mA, 6 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 160mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції TP2104K1-G за ціною від 33.81 грн до 63.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TP2104K1-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 40V 0.16A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
TP2104K1-G | Виробник : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - TP2104K1-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 160 mA, 6 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 416 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
TP2104K1-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 40V 0.16A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
TP2104K1-G | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET P-CH 40V 160MA TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V |
на замовлення 5282 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
TP2104K1-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 40V 0.16A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
TP2104K1-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 40V 0.16A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
TP2104K1-G | Виробник : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - TP2104K1-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 160 mA, 6 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 416 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
TP2104K1-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 40V 0.16A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
TP2104K1-G | Виробник : Microchip Technology |
MOSFETs 40V 6Ohm |
на замовлення 1660 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
TP2104K1-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 40V 0.16A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
TP2104K1-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -160mA; Idm: -0.8A; 360mW Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -160mA Pulsed drain current: -0.8A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
TP2104K1-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -160mA; Idm: -0.8A; 360mW Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -160mA Pulsed drain current: -0.8A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |