TN0104N8-G

TN0104N8-G Microchip Technology


TN0104-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005930A.pdf Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 40V 630MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 20 V
на замовлення 16000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+78.03 грн
Мінімальне замовлення: 2000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TN0104N8-G Microchip Technology

Description: MICROCHIP - TN0104N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 630 mA, 2 ohm, TO-243AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 630mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: TO-243AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TN0104, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції TN0104N8-G за ціною від 51.88 грн до 153.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TN0104N8-G TN0104N8-G Виробник : MICROCHIP 2595652.pdf Description: MICROCHIP - TN0104N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 630 mA, 2 ohm, TO-243AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: TO-243AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TN0104
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 11992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+82.31 грн
2000+ 74.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
TN0104N8-G TN0104N8-G Виробник : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005930a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 0.63A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+92.52 грн
2000+ 84.22 грн
4000+ 81.45 грн
6000+ 75.96 грн
8000+ 68.04 грн
Мінімальне замовлення: 500
TN0104N8-G TN0104N8-G Виробник : Microchip Technology TN0104_N_Channel_Enhancement_Mode_Vertical_DMOS_FE-3442251.pdf MOSFETs 40V 2Ohm
на замовлення 6980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+96.51 грн
25+ 82.72 грн
100+ 68.91 грн
250+ 67.55 грн
500+ 66.75 грн
1000+ 66.18 грн
4000+ 65.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
TN0104N8-G TN0104N8-G Виробник : Microchip Technology TN0104-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005930A.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 630MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 20 V
на замовлення 16057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+102.71 грн
25+ 80.66 грн
100+ 75.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
TN0104N8-G TN0104N8-G Виробник : MICROCHIP 4019770.pdf Description: MICROCHIP - TN0104N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 630 mA, 2 ohm, TO-243AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: TO-243AA
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TN0104
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 11977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+106.52 грн
25+ 87.96 грн
100+ 79.08 грн
2000+ 62.42 грн
4000+ 54.71 грн
10000+ 51.88 грн
Мінімальне замовлення: 8
TN0104N8-G TN0104N8-G Виробник : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005930a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 0.63A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+142.86 грн
10+ 126.29 грн
25+ 122.83 грн
100+ 112.18 грн
250+ 93.57 грн
500+ 86.91 грн
1000+ 74.85 грн
3000+ 65.58 грн
6000+ 63.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
TN0104N8-G TN0104N8-G Виробник : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005930a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 0.63A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
80+153.85 грн
90+ 136.01 грн
93+ 132.28 грн
100+ 120.81 грн
250+ 100.77 грн
500+ 93.6 грн
1000+ 80.6 грн
3000+ 70.63 грн
6000+ 68.59 грн
Мінімальне замовлення: 80
TN0104N8-G TN0104-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005930A.pdf
на замовлення 2767 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN0104N8-G TN0104N8-G Виробник : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005930a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 0.63A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
TN0104N8-G TN0104N8-G Виробник : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005930a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 0.63A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
TN0104N8-G TN0104N8-G Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY tn0104.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 630mA; Idm: 2.9A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 0.63A
Pulsed drain current: 2.9A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
TN0104N8-G TN0104N8-G Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY tn0104.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 630mA; Idm: 2.9A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 0.63A
Pulsed drain current: 2.9A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній