TK1R4S04PB,LXHQ

TK1R4S04PB,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage


TK1R4S04PB_datasheet_en_20200624.pdf?did=30650&prodName=TK1R4S04PB Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 120A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 60A, 6V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 10 V
на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+56.38 грн
Мінімальне замовлення: 2000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK1R4S04PB,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 40V 120A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 60A, 6V, Power Dissipation (Max): 180W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA, Supplier Device Package: DPAK+, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 10 V.

Інші пропозиції TK1R4S04PB,LXHQ за ціною від 55.8 грн до 187.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TK1R4S04PB,LXHQ TK1R4S04PB,LXHQ Виробник : Toshiba TK1R4S04PB_datasheet_en_20200624-1840178.pdf MOSFETs 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101
на замовлення 26747 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+162.81 грн
10+ 127.39 грн
25+ 104.3 грн
100+ 78.41 грн
250+ 77.69 грн
500+ 61.72 грн
1000+ 56.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK1R4S04PB,LXHQ TK1R4S04PB,LXHQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TK1R4S04PB_datasheet_en_20200624.pdf?did=30650&prodName=TK1R4S04PB Description: MOSFET N-CH 40V 120A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 60A, 6V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 10 V
на замовлення 4866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+187.53 грн
10+ 116.74 грн
100+ 80.18 грн
500+ 60.53 грн
1000+ 55.8 грн
Мінімальне замовлення: 2