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TK1K0A60F,S4X(S TOSHIBA
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Description: TOSHIBA - TK1K0A60F,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7.5 A, 0.83 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.83ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 86.45 грн |
12+ | 66.35 грн |
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Технічний опис TK1K0A60F,S4X(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK1K0A60F,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7.5 A, 0.83 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 7.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-220SIS, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.83ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).