Продукція > TOSHIBA > TK12E60W,S1VX(S
TK12E60W,S1VX(S

TK12E60W,S1VX(S TOSHIBA


Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK12E60W,S1VX(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.5 A, 0.265 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.265ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 676 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+253.6 грн
10+ 190.4 грн
100+ 155.2 грн
500+ 131.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK12E60W,S1VX(S TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TK12E60W,S1VX(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.5 A, 0.265 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 11.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.265ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).