на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 256.8 грн |
| 10+ | 212.6 грн |
| 25+ | 174.8 грн |
| 50+ | 166.17 грн |
| 100+ | 137.39 грн |
| 250+ | 128.76 грн |
| 500+ | 112.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK125N60Z1,S1F Toshiba
Description: 6OOV DTMOS6 TO-247 125MOHM, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 730µA, Supplier Device Package: TO-247, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 300 V.
Інші пропозиції TK125N60Z1,S1F за ціною від 182.74 грн до 328.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TK125N60Z1,S1F | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: 6OOV DTMOS6 TO-247 125MOHMPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 730µA Supplier Device Package: TO-247 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 300 V |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|