TK10A80E,S4X Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 800V 10A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 800V 10A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 163.41 грн |
50+ | 126.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK10A80E,S4X Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 800V 10A TO220SIS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220SIS, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції TK10A80E,S4X за ціною від 74.09 грн до 219.04 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
TK10A80E,S4X | Виробник : Toshiba | MOSFETs PLN MOS 800V 1000m (VGS=10V) TO-220SIS |
на замовлення 246 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
TK10A80E,S4X Код товару: 203788 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
TK10A80E,S4X | Виробник : Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 800V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
TK10A80E,S4X | Виробник : Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 800V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube |
товар відсутній |