Продукція > TOSHIBA > TK10A60W,S4VX
TK10A60W,S4VX

TK10A60W,S4VX Toshiba

TK10A60W_datasheet_en_20131225-1140051.pdf Виробник: Toshiba
MOSFETs N-Ch 600V 9.7A 30W DTMOSIV 700pF 20nC
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+206.45 грн
10+ 134.84 грн
50+ 116.53 грн
100+ 87.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK10A60W,S4VX Toshiba

Description: MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 30W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 500µA, Supplier Device Package: TO-220SIS, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 300 V.

Інші пропозиції TK10A60W,S4VX за ціною від 254.45 грн до 254.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TK10A60W,S4VX TK10A60W,S4VX Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TK10A60W_datasheet_en_20131225.pdf?did=13486&prodName=TK10A60W Description: MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 300 V
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+254.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK10A60W,S4VX TK10A60W,S4VX Виробник : Toshiba 16tk10a60w_en_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK10A60W,S4VX TK10A60W,S4VX Виробник : Toshiba 16tk10a60w_en_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK10A60W,S4VX TK10A60W,S4VX Виробник : Toshiba 16tk10a60w_en_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товар відсутній
TK10A60W,S4VX TK10A60W,S4VX Виробник : Toshiba 16tk10a60w_en_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товар відсутній