TD425N18KOF
Виробник:
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TD425N18KOF
Category: Diode - thyristor modules, Description: Module: diode-thyristor; 1.8kV; 425A; BG-PB60AT-1; Ufmax: 1.5V, Type of module: diode-thyristor, Semiconductor structure: double series, Max. off-state voltage: 1.8kV, Load current: 425A, Case: BG-PB60AT-1, Max. forward voltage: 1.5V, Max. forward impulse current: 14.5kA, Gate current: 250mA, Electrical mounting: screw, Max. load current: 800A, Mechanical mounting: screw.
Інші пропозиції TD425N18KOF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| TD425N18KOF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES | TD425N18KOF Diode - thyristor modules |
товар відсутній |
||
| TD425N18KOF | Виробник : Infineon Technologies |
 Discrete Semiconductor Modules 1800V 800A |
товар відсутній |
||
 |
TD425N18KOF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Diode - thyristor modules Description: Module: diode-thyristor; 1.8kV; 425A; BG-PB60AT-1; Ufmax: 1.5V Type of module: diode-thyristor Semiconductor structure: double series Max. off-state voltage: 1.8kV Load current: 425A Case: BG-PB60AT-1 Max. forward voltage: 1.5V Max. forward impulse current: 14.5kA Gate current: 250mA Electrical mounting: screw Max. load current: 800A Mechanical mounting: screw |
товар відсутній |