Продукція > TOSHIBA > TBC847B,LM
TBC847B,LM

TBC847B,LM Toshiba

3533docget.jspdid53738prodnametbc847.jspdid53738prodnametbc847.pdf Виробник: Toshiba
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 320mW 3-Pin SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TBC847B,LM Toshiba

Description: TRANS NPN 50V 0.15A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 30nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 320 mW.

Інші пропозиції TBC847B,LM за ціною від 1.07 грн до 11.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TBC847B,LM TBC847B,LM Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TBC847_datasheet_en_20160801.pdf?did=53738&prodName=TBC847 Description: TRANS NPN 50V 0.15A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 30nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.98 грн
6000+ 1.69 грн
9000+ 1.58 грн
15000+ 1.37 грн
21000+ 1.3 грн
30000+ 1.24 грн
75000+ 1.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
TBC847B,LM TBC847B,LM Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TBC847_datasheet_en_20160801.pdf?did=53738&prodName=TBC847 Description: TRANS NPN 50V 0.15A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 30nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
на замовлення 113515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
31+10.12 грн
51+ 5.92 грн
100+ 3.66 грн
500+ 2.49 грн
1000+ 2.18 грн
Мінімальне замовлення: 31
TBC847B,LM TBC847B,LM Виробник : Toshiba TBC847_datasheet_en_20160801-1001802.pdf Bipolar Transistors - BJT BJT NPN 0.15A 50V
на замовлення 49455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
29+11.75 грн
49+ 6.78 грн
109+ 2.66 грн
1000+ 2.23 грн
3000+ 1.51 грн
9000+ 1.44 грн
24000+ 1.29 грн
Мінімальне замовлення: 29
TBC847B,LM TBC847B,LM Виробник : Toshiba 3533docget.jspdid53738prodnametbc847.jspdid53738prodnametbc847.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 320mW 3-Pin SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TBC847B,LM TBC847B,LM Виробник : Toshiba 3533docget.jspdid53738prodnametbc847.jspdid53738prodnametbc847.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 320mW 3-Pin SOT-23
товар відсутній