STW70N60DM2 STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW70N60DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 66 A, 0.037 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 900.55 грн |
| 5+ | 795.65 грн |
| 10+ | 689.94 грн |
| 50+ | 621.92 грн |
| 100+ | 556.79 грн |
| 250+ | 504.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW70N60DM2 STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STW70N60DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 66 A, 0.037 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 66A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 446W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STW70N60DM2 за ціною від 506.41 грн до 901.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STW70N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V, 37 mOhm typ 66 A MDmesh DM2 Power MOSFET |
на замовлення 635 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STW70N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
STW70N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| STW70N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||
 |
STW70N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 42A; 446W; TO247 Mounting: THT Power dissipation: 446W Case: TO247 Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: MDmesh™ DM2 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 37mΩ Drain current: 42A Drain-source voltage: 600V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
STW70N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: N-channel 600 V, 37 mOhm typ., 6 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 446W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5508 pF @ 100 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
STW70N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 42A; 446W; TO247 Mounting: THT Power dissipation: 446W Case: TO247 Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: MDmesh™ DM2 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 37mΩ Drain current: 42A Drain-source voltage: 600V |
товар відсутній |