SSM6P39TU,LF

SSM6P39TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage


Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.5A UF6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 213mOhm @ 1A, 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4nC @ 4V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+8.7 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM6P39TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.5A UF6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 500mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 213mOhm @ 1A, 4V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4nC @ 4V, FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: UF6.

Інші пропозиції SSM6P39TU,LF за ціною від 6.91 грн до 35.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SSM6P39TU,LF SSM6P39TU,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.5A UF6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 213mOhm @ 1A, 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4nC @ 4V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
на замовлення 8935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+32.68 грн
13+ 24.05 грн
100+ 14.45 грн
500+ 12.57 грн
1000+ 8.54 грн
Мінімальне замовлення: 10
SSM6P39TU,LF SSM6P39TU,LF Виробник : Toshiba SSM6P39TU_datasheet_en_20140301-1627350.pdf MOSFET Small Signal MOSFET P-ch x 2 VDSS=-20V, VGSS=+/-8V, ID=-1.5A, RDS(ON)=0.213Ohm a. 4V, in UF6 package
на замовлення 5921 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+35.16 грн
13+ 26.8 грн
100+ 12.95 грн
1000+ 8.85 грн
3000+ 7.77 грн
9000+ 6.98 грн
24000+ 6.91 грн
Мінімальне замовлення: 10