SSM6P35AFE,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.25A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 4.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM6P35AFE,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.25A ES6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 150mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA, Supplier Device Package: ES6, Part Status: Active.
Інші пропозиції SSM6P35AFE,LF за ціною від 3.74 грн до 30.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SSM6P35AFE,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.25A ES6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 150mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA Supplier Device Package: ES6 Part Status: Active |
на замовлення 6546 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SSM6P35AFE,LF | Виробник : Toshiba |
MOSFET Small Signal MOSFET P-ch x 2 Vdss:-20V Vgss:V Id:-0.25A |
на замовлення 6314 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|