SSM6N951L,EFF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 12V 8A 6TCSPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 8A, 4.5V
Supplier Device Package: 6-TCSPA (2.14x1.67)
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 12V 8A 6TCSPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 8A, 4.5V
Supplier Device Package: 6-TCSPA (2.14x1.67)
Part Status: Active
на замовлення 9260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 67.7 грн |
| 10+ | 53.2 грн |
| 100+ | 41.4 грн |
| 500+ | 32.93 грн |
| 1000+ | 26.83 грн |
| 2000+ | 25.25 грн |
| 5000+ | 23.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM6N951L,EFF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 12V 8A 6TCSPA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 8A, 4.5V, Supplier Device Package: 6-TCSPA (2.14x1.67), Part Status: Active.
Інші пропозиції SSM6N951L,EFF за ціною від 24.82 грн до 71.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SSM6N951L,EFF | Виробник : Toshiba |
 MOSFETs Small Signal MOSFET Rdson: 4.4mOhm Vgs: 4.5V |
на замовлення 8559 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SSM6N951L,EFF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET 2N-CH 12V 8A 6TCSPA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 8A, 4.5V Supplier Device Package: 6-TCSPA (2.14x1.67) Part Status: Active |
товар відсутній |