Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM6K819R,LXHF
SSM6K819R,LXHF

SSM6K819R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6K819R_datasheet_en_20210528.pdf?did=65097&prodName=SSM6K819R Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q SS MOS N-CH LOGIC-LEV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.8mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+29.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM6K819R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: AUTO AEC-Q SS MOS N-CH LOGIC-LEV, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.8mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, Supplier Device Package: 6-TSOP-F, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 15 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SSM6K819R,LXHF за ціною від 26.83 грн до 87.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SSM6K819R,LXHF SSM6K819R,LXHF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K819R_datasheet_en_20210528.pdf?did=65097&prodName=SSM6K819R Description: AUTO AEC-Q SS MOS N-CH LOGIC-LEV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.8mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+70.81 грн
10+ 56.05 грн
100+ 43.62 грн
500+ 34.69 грн
1000+ 28.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
SSM6K819R,LXHF SSM6K819R,LXHF Виробник : Toshiba SSM6K819R_datasheet_en_20240415-2584121.pdf MOSFETs AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:100V IC:10A PD:1.5W TSOP6F
на замовлення 18034 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+87.28 грн
10+ 67.01 грн
100+ 42.22 грн
250+ 41.58 грн
500+ 33.95 грн
1000+ 29.64 грн
3000+ 26.83 грн
Мінімальне замовлення: 4