Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM6K517NU,LF
SSM6K517NU,LF

SSM6K517NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=69320&prodName=SSM6K517NU Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 6A 6UDFNB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.1mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+9.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM6K517NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 30V 6A 6UDFNB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.1mOhm @ 2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): +12V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SSM6K517NU,LF за ціною від 7.84 грн до 28.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SSM6K517NU,LF SSM6K517NU,LF Виробник : Toshiba SSM6K517NU_datasheet_en_20240415-1902137.pdf MOSFETs MOS TRANSISTOR
на замовлення 4479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+25.76 грн
16+ 21.09 грн
100+ 13.24 грн
500+ 10.86 грн
1000+ 9.78 грн
3000+ 8.2 грн
9000+ 7.84 грн
Мінімальне замовлення: 14
SSM6K517NU,LF SSM6K517NU,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69320&prodName=SSM6K517NU Description: MOSFET N-CH 30V 6A 6UDFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.1mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 15 V
на замовлення 6804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+28.79 грн
13+ 23.3 грн
100+ 16.18 грн
500+ 11.86 грн
1000+ 9.64 грн
Мінімальне замовлення: 11
SSM6K517NU,LF
Код товару: 179908 		docget.jsp?did=69320&prodName=SSM6K517NU Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній