Продукція > TOSHIBA > SSM6J412TU,LF
SSM6J412TU,LF

SSM6J412TU,LF Toshiba

SSM6J412TU_datasheet_en_20140301-1916070.pdf Виробник: Toshiba
MOSFET Small Signal MOSFET P-ch VDSS=-20V, VGSS=+/-8V, ID=-4.0A, RDS(ON)=0.0427ohm a. 4.5V, in UF6 package
на замовлення 6209 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+27.36 грн
16+ 21.01 грн
100+ 10.14 грн
1000+ 6.91 грн
3000+ 6.04 грн
9000+ 5.4 грн
24000+ 5.32 грн
Мінімальне замовлення: 13
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM6J412TU,LF Toshiba

Description: MOSFET P-CH 20V 4A UF6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.7mOhm @ 3A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: UF6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SSM6J412TU,LF за ціною від 8.18 грн до 34.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SSM6J412TU,LF SSM6J412TU,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J412TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=2403&prodName=SSM6J412TU Description: MOSFET P-CH 20V 4A UF6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.7mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+34.24 грн
15+ 20.53 грн
100+ 13.02 грн
500+ 9.17 грн
1000+ 8.18 грн
Мінімальне замовлення: 10
SSM6J412TU,LF SSM6J412TU,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J412TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=2403&prodName=SSM6J412TU Description: MOSFET P-CH 20V 4A UF6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.7mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
товар відсутній