на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 3.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3K339R,LF(T Toshiba
Description: TOSHIBA - SSM3K339R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 2 A, 0.145 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-23F, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.145ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 8V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції SSM3K339R,LF(T за ціною від 5.76 грн до 25.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SSM3K339R,LF(T | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3K339R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 2 A, 0.145 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-23F Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.145ohm Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 17914 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SSM3K339R,LF(T | Виробник : Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 40V 2A 3-Pin SOT-23F T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SSM3K339R,LF(T | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 2A 3-Pin SOT-23F T/R |
на замовлення 15508 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SSM3K339R,LF(T | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 2A 3-Pin SOT-23F T/R |
на замовлення 15483 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SSM3K339R,LF(T | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3K339R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 2 A, 0.145 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-23F Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 17914 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SSM3K339R,LF(T | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 2A 3-Pin SOT-23F T/R |
на замовлення 4112 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |