Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM3K318R,LF
SSM3K318R,LF

SSM3K318R,LF Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K318R_datasheet_en_20160823.pdf?did=29655&prodName=SSM3K318R Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 2.5A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 107mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+8.47 грн
6000+ 7.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3K318R,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 60V 2.5A SOT23F, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 107mOhm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-23F, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 30 V.

Інші пропозиції SSM3K318R,LF за ціною від 5.81 грн до 38.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SSM3K318R,LF SSM3K318R,LF Виробник : Toshiba 124852288570723124851766524945ssm3k318r_datasheet_en_20160823.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 2.5A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 2452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
497+24.59 грн
866+ 14.1 грн
899+ 13.58 грн
906+ 12.99 грн
1671+ 6.52 грн
Мінімальне замовлення: 497
SSM3K318R,LF SSM3K318R,LF Виробник : Toshiba 124852288570723124851766524945ssm3k318r_datasheet_en_20160823.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 2.5A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 2452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
21+29.67 грн
27+ 22.83 грн
100+ 12.63 грн
250+ 11.26 грн
500+ 10.72 грн
1000+ 5.81 грн
Мінімальне замовлення: 21
SSM3K318R,LF SSM3K318R,LF Виробник : Toshiba SSM3K318R_datasheet_en_20160823-1916422.pdf MOSFETs Small Signal Mosfet
на замовлення 71190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+35.16 грн
14+ 24.32 грн
100+ 12.88 грн
500+ 10.57 грн
1000+ 8.2 грн
3000+ 7.19 грн
9000+ 6.19 грн
Мінімальне замовлення: 10
SSM3K318R,LF SSM3K318R,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K318R_datasheet_en_20160823.pdf?did=29655&prodName=SSM3K318R Description: MOSFET N-CH 60V 2.5A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 107mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 30 V
на замовлення 9890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+38.13 грн
14+ 22.4 грн
100+ 14.26 грн
500+ 10.08 грн
1000+ 9.02 грн
Мінімальне замовлення: 9
SSM3K318R,LF SSM3K318R,LF Виробник : Toshiba 124852288570723124851766524945ssm3k318r_datasheet_en_20160823.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 2.5A 3-Pin SOT-23F T/R
товар відсутній