SSM3J327R,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 3.9A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 20V 3.9A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 4.86 грн |
6000+ | 4.22 грн |
9000+ | 3.99 грн |
15000+ | 3.49 грн |
21000+ | 3.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3J327R,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 3.9A SOT23F, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-23F, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V.
Інші пропозиції SSM3J327R,LF за ціною від 3.52 грн до 28.87 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SSM3J327R,LF | Виробник : Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.9A 3-Pin SOT-23F T/R |
на замовлення 1253 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SSM3J327R,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET P-CH 20V 3.9A SOT23F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23F Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V |
на замовлення 22707 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SSM3J327R,LF | Виробник : Toshiba | MOSFET Small-Signal MOSFET |
на замовлення 30654 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SSM3J327R,LF | Виробник : Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.9A 3-Pin SOT-23F T/R |
на замовлення 1253 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
SSM3J327R,LF | Виробник : Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.9A 3-Pin SOT-23F T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
SSM3J327R,LF | Виробник : Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.9A 3-Pin SOT-23F T/R |
товар відсутній |