Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM3J112TU,LF
SSM3J112TU,LF

SSM3J112TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J112TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=6112&prodName=SSM3J112TU Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 1.1A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 86 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3J112TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET P-CH 30V 1.1A UFM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA, Supplier Device Package: UFM, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 86 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SSM3J112TU,LF за ціною від 7.35 грн до 31.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SSM3J112TU,LF SSM3J112TU,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J112TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=6112&prodName=SSM3J112TU Description: MOSFET P-CH 30V 1.1A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 86 pF @ 15 V
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+31.12 грн
17+ 18.58 грн
100+ 11.74 грн
500+ 8.25 грн
1000+ 7.35 грн
Мінімальне замовлення: 10
SSM3J112TU,LF SSM3J112TU,LF Виробник : Toshiba SSM3J112TU_datasheet_en_20140301-1138309.pdf MOSFET Small-signal MOSFET ID=-1.1A VDSS=-30V
товар відсутній