на замовлення 9957 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 93.15 грн |
10+ | 75.94 грн |
100+ | 52.37 грн |
500+ | 45.1 грн |
1000+ | 35.82 грн |
5000+ | 34.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM10N954L,EFF Toshiba
Description: COMMON-DRAIN NCH MOSFET, 12V, 13, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 10-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 6A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 1.11mA, Supplier Device Package: TCSPAC-153001, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4 V.
Інші пропозиції SSM10N954L,EFF за ціною від 32.35 грн до 97.27 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SSM10N954L,EFF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: COMMON-DRAIN NCH MOSFET, 12V, 13 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 10-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 1.11mA Supplier Device Package: TCSPAC-153001 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4 V |
на замовлення 9985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
SSM10N954L,EFF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: COMMON-DRAIN NCH MOSFET, 12V, 13 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 1.11mA Supplier Device Package: TCSPAC-153001 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4 V |
товар відсутній |