Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJ465EP-T1_GE3
SQJ465EP-T1_GE3

SQJ465EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqj465ep.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 8A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+38 грн
6000+ 34.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ465EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 60V 8A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 30 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQJ465EP-T1_GE3 за ціною від 33.81 грн до 105.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQJ465EP-T1-GE3 SQJ465EP-T1-GE3 Виробник : Vishay sqj465ep.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 2794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
261+46.76 грн
Мінімальне замовлення: 261
SQJ465EP-T1_GE3 SQJ465EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0001234591-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQJ465EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8 A, 0.07 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 13967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+61.33 грн
500+ 48.26 грн
1000+ 39.36 грн
5000+ 34.1 грн
Мінімальне замовлення: 100
SQJ465EP-T1_GE3 SQJ465EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY SQJ465EP.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8A; 15W; PowerPAK® SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8A
Power dissipation: 15W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+87.96 грн
6+ 74.18 грн
15+ 59.2 грн
41+ 55.45 грн
500+ 54.7 грн
Мінімальне замовлення: 5
SQJ465EP-T1_GE3 SQJ465EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj465ep.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 8A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+91.82 грн
10+ 72.38 грн
100+ 56.3 грн
500+ 44.78 грн
1000+ 36.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
SQJ465EP-T1_GE3 SQJ465EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0001234591-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQJ465EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8 A, 0.07 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 13599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+91.99 грн
50+ 79.56 грн
100+ 67.14 грн
500+ 43.09 грн
1500+ 39.01 грн
Мінімальне замовлення: 9
SQJ465EP-T1-GE3 SQJ465EP-T1-GE3 Виробник : Vishay sqj465ep.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 2794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+96.48 грн
10+ 79.15 грн
100+ 61.59 грн
500+ 50.37 грн
1000+ 38.76 грн
Мінімальне замовлення: 7
SQJ465EP-T1_GE3 SQJ465EP-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqj465ep.pdf MOSFET -60V -8A 45W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 42662 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+99.87 грн
10+ 80.82 грн
100+ 54.67 грн
500+ 46.33 грн
1000+ 37.76 грн
3000+ 35.46 грн
6000+ 33.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
SQJ465EP-T1_GE3 SQJ465EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY SQJ465EP.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8A; 15W; PowerPAK® SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8A
Power dissipation: 15W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+105.55 грн
5+ 92.44 грн
15+ 71.03 грн
41+ 66.54 грн
500+ 65.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
SQJ465EP-T1-GE3 SQJ465EP-T1-GE3 Виробник : Vishay sqj465ep.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товар відсутній
SQJ465EP-T1_GE3 SQJ465EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj465ep.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товар відсутній
SQJ465EP-T1-GE3 SQJ465EP-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqj465ep-1764892.pdf MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SQJ465EP-T1_GE3
товар відсутній