Продукція > VISHAY / SILICONIX > SQJ460AEP-T1_GE3
SQJ460AEP-T1_GE3

SQJ460AEP-T1_GE3 Vishay / Siliconix

sqj460ep.pdf Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 10460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+113.3 грн
10+ 91.82 грн
100+ 61.79 грн
500+ 52.44 грн
1000+ 42.66 грн
3000+ 41 грн
6000+ 39.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ460AEP-T1_GE3 Vishay / Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4795 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQJ460AEP-T1_GE3 за ціною від 40.71 грн до 143.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQJ460AEP-T1_GE3 SQJ460AEP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj460ep.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4795 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+143.18 грн
10+ 87.97 грн
100+ 59.52 грн
500+ 44.4 грн
1000+ 40.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
SQJ460AEP-T1_GE3 SQJ460AEP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj460aep.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 58A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товар відсутній
SQJ460AEP-T1_GE3 SQJ460AEP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj460aep.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 58A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товар відсутній
SQJ460AEP-T1_GE3 SQJ460AEP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj460ep.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4795 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній