Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJ457EP-T1_GE3
SQJ457EP-T1_GE3

SQJ457EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqj457ep.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 36A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+27.35 грн
6000+ 25.08 грн
9000+ 23.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ457EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 60V 36A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 68W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQJ457EP-T1_GE3 за ціною від 24.66 грн до 96.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQJ457EP-T1_GE3 SQJ457EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj457ep.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 36A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+34.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQJ457EP-T1_GE3 SQJ457EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj457ep.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 36A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+34.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQJ457EP-T1_GE3 SQJ457EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj457ep.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 36A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+36.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQJ457EP-T1_GE3 SQJ457EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj457ep.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 36A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+37.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQJ457EP-T1_GE3 SQJ457EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY sqj457ep.pdf Description: VISHAY - SQJ457EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 36 A, 0.021 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
на замовлення 1392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+61.25 грн
500+ 55.75 грн
1000+ 50.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
SQJ457EP-T1_GE3 SQJ457EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj457ep.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 36A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
197+62.09 грн
199+ 61.48 грн
263+ 46.43 грн
266+ 44.29 грн
500+ 34.45 грн
1000+ 26.56 грн
Мінімальне замовлення: 197
SQJ457EP-T1_GE3 SQJ457EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj457ep.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 36A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 31306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+66.14 грн
10+ 52.08 грн
100+ 40.51 грн
500+ 32.23 грн
1000+ 26.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
SQJ457EP-T1_GE3 SQJ457EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj457ep.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 36A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+70.39 грн
11+ 57.66 грн
25+ 57.09 грн
100+ 41.57 грн
250+ 38.08 грн
500+ 30.71 грн
1000+ 24.66 грн
Мінімальне замовлення: 9
SQJ457EP-T1_GE3 SQJ457EP-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqj457ep.pdf MOSFETs P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 133140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+74.19 грн
10+ 59.56 грн
100+ 40.28 грн
500+ 33.23 грн
1000+ 27.05 грн
3000+ 26.18 грн
6000+ 24.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
SQJ457EP-T1_GE3 SQJ457EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY sqj457ep.pdf Description: VISHAY - SQJ457EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 36 A, 0.021 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
на замовлення 1392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+96.83 грн
12+ 71.25 грн
100+ 61.25 грн
500+ 55.75 грн
1000+ 50.42 грн
Мінімальне замовлення: 9
SQJ457EP-T1_GE3 SQJ457EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj457ep.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 36A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товар відсутній
SQJ457EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY sqj457ep.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -36A; Idm: -100A; 22W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -36A
Pulsed drain current: -100A
Power dissipation: 22W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SQJ457EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY sqj457ep.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -36A; Idm: -100A; 22W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -36A
Pulsed drain current: -100A
Power dissipation: 22W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
товар відсутній