Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > SP8M6HZGTB
SP8M6HZGTB

SP8M6HZGTB Rohm Semiconductor

sp8m6hzgtb-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 30V 5A/3.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOP T/R
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
424+28.83 грн
438+ 27.9 грн
444+ 27.48 грн
500+ 26.1 грн
1000+ 23.8 грн
Мінімальне замовлення: 424
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SP8M6HZGTB Rohm Semiconductor

Description: ROHM - SP8M6HZGTB - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 5 A, 5 A, 0.036 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.036ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.036ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції SP8M6HZGTB за ціною від 28.84 грн до 120.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SP8M6HZGTB SP8M6HZGTB Виробник : Rohm Semiconductor sp8m6hzgtb-e.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 5A/3.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
225+54.46 грн
250+ 52.28 грн
500+ 50.39 грн
1000+ 47.01 грн
Мінімальне замовлення: 225
SP8M6HZGTB SP8M6HZGTB Виробник : ROHM sp8m6hzgtb-e.pdf Description: ROHM - SP8M6HZGTB - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 5 A, 5 A, 0.036 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.036ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.036ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+67.14 грн
500+ 44.88 грн
1000+ 28.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
SP8M6HZGTB SP8M6HZGTB Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=SP8M6HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N/P-CH 30V 5A/3.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 3.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V, 490pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V, 90mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 5V, 5.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+99.6 грн
10+ 78.23 грн
100+ 60.85 грн
500+ 48.41 грн
1000+ 39.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
SP8M6HZGTB SP8M6HZGTB Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=SP8M6HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET AECQ
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+109.1 грн
10+ 88.51 грн
100+ 59.63 грн
500+ 50.5 грн
1000+ 41.22 грн
2500+ 38.7 грн
5000+ 36.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
SP8M6HZGTB SP8M6HZGTB Виробник : ROHM sp8m6hzgtb-e.pdf Description: ROHM - SP8M6HZGTB - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 5 A, 5 A, 0.036 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.036ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.036ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+120.23 грн
10+ 91.99 грн
100+ 67.14 грн
500+ 44.88 грн
1000+ 28.84 грн
Мінімальне замовлення: 7
SP8M6HZGTB SP8M6HZGTB Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=SP8M6HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N/P-CH 30V 5A/3.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 3.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V, 490pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V, 90mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 5V, 5.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
товар відсутній